您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 1:09:21 查看 阅读:9

IRLH5030TRPBF是来自英飞凌(Infineon)的逻辑电平N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于各种功率转换应用,例如开关电源、电机驱动器和负载切换等。该器件在低电压条件下也能有效工作,因此常被应用于便携式设备和其他需要高效能和小尺寸解决方案的场合。
  由于其出色的性能和可靠性,IRLH5030TRPBF成为许多设计工程师在低压大电流应用场景中的首选。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(典型值):3.9mΩ
  栅极电荷(典型值):17nC
  输入电容(典型值):1350pF
  最大功耗:72W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRLH5030TRPBF具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可降低功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 低栅极电荷和输入电容,减少了驱动损耗。
  4. 宽泛的工作温度范围,使其适用于极端环境条件。
  5. 具备雪崩能力和较高的耐用性,增加了器件的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。
  这些特性共同使得IRLH5030TRPBF在各种电力电子应用中表现出色,尤其是在追求高效率和紧凑设计的应用场景中。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 直流-直流转换器,包括降压、升压及升降压拓扑。
  3. 各种类型的电机驱动器,如步进电机和无刷直流电机控制。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充电/放电控制。
  6. 工业自动化和控制设备中的功率管理部分。
  由于其优异的性能,IRLH5030TRPBF在汽车、消费电子和工业领域都得到了广泛应用。

替代型号

IRLZ44N, FDP5560, AO3400A

IRLH5030TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRLH5030TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs94nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5185pF @ 50V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVQFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装带卷 (TR)