时间：2025/5/7 18:19:37
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IRL640S 是一款N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用SO-8封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合于功率转换、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用。
IRL640S 的设计目标是提供高效的功率传输，同时降低功耗，其优良的热性能和电气特性使其成为众多电力电子应用的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：27A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极阈值电压：2.1V
总功耗：32W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
IRL640S 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，在大电流应用中能够显著减少传导损耗。
该器件还具备快速开关能力，能够在高频操作下实现高效的能量转换。
其栅极电荷较小，有助于减少开关过程中的能量损耗。
此外，IRL640S 的SO-8封装形式提供了良好的散热性能，并且与标准表面贴装技术兼容，简化了生产制造流程。
该器件的高雪崩能量能力进一步增强了其在恶劣环境下的可靠性。
IRL640S 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机控制和驱动
- 电池保护电路
- 负载开关
- 高频逆变器
由于其出色的电气特性和热性能，该MOSFET非常适合于便携式设备、工业自动化系统及汽车电子等领域。
IRLZ44N
IRFZ44N
STP160N10F5
