时间：2025/6/27 12:31:24
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IRL6372TR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
这款MOSFET通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电容，从而提升了效率并降低了开关损耗。其出色的热性能和电气特性使其成为高效能功率管理的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：149A
导通电阻：0.58mΩ
栅极电荷：106nC
总栅极电荷：142nC
输出电容：2780pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IRL6372TR具备超低的导通电阻Rds(on)，仅为0.58mΩ，这有助于减少导通状态下的功耗。
其大电流承载能力达到149A，适合于要求高性能、高效率的应用场景。
该器件采用了先进的制程工艺，在确保高可靠性的前提下还提供了较高的雪崩击穿能量。
TOLL封装形式不仅增强了散热性能，还支持自动化表面贴装技术(SMT)，便于大规模生产。
此外，IRL6372TR的工作温度范围广，从-55℃到175℃均可稳定运行，适应多种环境条件。
IRL6372TR主要应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，例如：
服务器和通信设备中的电源模块。
工业级电机驱动与控制电路。
电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)。
太阳能逆变器内的开关元件。
消费类电子产品里的快速充电适配器和便携式储能装置。
IRL6372PBF
