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IRL6342TRPBF 发布时间 时间:2025/7/9 10:43:41 查看 阅读:6

IRL6342TRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道 enhancement mode 场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的硅工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性,非常适合于高效能开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。
  该型号属于 OptiMOS 系列,优化了功率密度和效率,其封装形式为 PQFN3333-18,适合表面贴装技术 (SMT),能够有效减少寄生电感并提升热性能。

参数

最大 drain-source 电压:30V
  连续 drain 电流:38A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,当 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:29nC
  总电容(Ciss):3540pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PQFN3333-18

特性

IRL6342TRPBF 具有非常低的导通电阻,这有助于减少传导损耗,从而提高整体系统效率。
  该 MOSFET 的栅极电荷较低,因此可以实现快速的开关切换,进而降低开关损耗。
  其小型 PQFN 封装减少了寄生参数的影响,并提供了良好的散热性能。
  由于采用了 Infineon 的 OptiMOS 技术,该器件能够在高频条件下保持出色的效能表现,同时具备高可靠性和鲁棒性。
  此外,该器件的工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境下的应用需求。

应用

IRL6342TRPBF 广泛应用于需要高效功率转换的场景,例如:
  笔记本电脑适配器和充电器中的 DC-DC 转换器。
  服务器和通信设备的电源模块。
  电动工具及家用电器的无刷直流电机 (BLDC) 驱动电路。
  汽车电子系统中的负载开关和电池管理单元。
  LED 驱动器和工业自动化控制设备。
  由于其高性能和可靠性,这款 MOSFET 在消费类电子产品和工业领域都得到了广泛应用。

替代型号

IRLB8748PBF, IRLZ44N

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IRL6342TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.6 毫欧 @ 9.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1025pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRL6342TRPBF-NDIRL6342TRPBFTR