时间:2025/12/26 18:29:48
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IRL3803VS是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造,能够在低电压应用中提供极低的导通电阻和优异的开关性能。IRL3803VS特别适用于需要高效能和紧凑尺寸的电源管理系统。该MOSFET封装在D2PAK(TO-263)封装中,有助于提高散热性能,适合于表面贴装技术的应用场景。这款MOSFET的设计考虑了对环境的影响,符合RoHS标准,不含有害物质,支持绿色环保理念。
型号:IRL3803VS
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):30V
最大连续漏极电流(Id):72A
栅极阈值电压(Vgs th):1.0V ~ 2.0V
漏源导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V, Id=36A
漏源导通电阻(Rds(on)):6.0mΩ @ Vgs=4.5V, Id=36A
最大栅源电压(Vgs):±20V
功耗(Pd):200W
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +175°C
封装/外壳:D2PAK (TO-263)
IRL3803VS具备多项先进特性,使其成为众多高性能电源管理应用的理想选择。首先,其采用了Infineon先进的沟槽技术,这不仅显著降低了Rds(on),还优化了器件的整体性能。低至4.5mΩ的Rds(on)意味着在大电流条件下能够有效减少功率损耗,从而提升系统效率并降低发热。
其次,IRL3803VS具有非常低的栅极电荷(Qg)和米勒电容(Crss),这对于高频开关操作至关重要。较低的Qg意味着驱动电路所需的能量更少,可以加快开关速度,减少开关损耗,进而提高整体转换效率。此外,这种特性还有助于减小外部驱动元件的尺寸和成本,简化电路设计。
再者,该MOSFET拥有出色的热稳定性与可靠性。D2PAK封装提供了良好的热传导路径,允许热量从芯片快速传递到PCB或散热器上,确保即使在高负载情况下也能维持稳定的工作温度。同时,宽泛的工作结温范围(-55°C至+175°C)使得IRL3803VS能在极端环境下可靠运行,增强了产品的适应性和耐用性。
最后,IRL3803VS通过了严格的品质控制流程,保证了一致的产品质量和长期使用的可靠性。它还具备优秀的抗雪崩能力,能够在瞬态过压事件中保护自身不受损坏,进一步提升了系统的安全性。这些综合优势使IRL3803VS成为服务器电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他要求严苛的应用中的首选器件。
IRL3803VS广泛应用于多种需要高效能功率管理解决方案的领域。其中包括但不限于:高性能计算设备中的电源供应单元,如服务器和工作站,其中对能效和空间利用有着极高要求;电信基础设施里的DC-DC转换器模块,用于实现稳定的电压调节以支持通信设备正常运作;工业自动化控制系统内的电机驱动电路,凭借其快速响应特性和高耐流能力来精确控制电动机运转状态;消费类电子产品,例如高端笔记本电脑和平板电视等便携式装置内的电池充电管理及电源分配网络;以及汽车电子系统,特别是在新能源汽车的车载充电机(OBC)和DC-DC变换器部分发挥重要作用。此外,在可再生能源发电系统,比如太阳能逆变器和风力发电机配套的电力电子装置中,IRL3803VS同样展现出卓越的表现,帮助构建更加清洁高效的能源转换平台。得益于其出色的电气特性和物理封装优势,这款MOSFET还能被灵活地集成进各种紧凑型设计当中,满足现代电子产品向小型化、轻量化发展的趋势需求。
IRL3803PBF
IRLB8743PbF
IRLHS3803