K4B1G1646E-HCF8是由三星(Samsung)生产的一款DDR3 SDRAM内存芯片,广泛应用于计算机、服务器和其他电子设备中。这款芯片采用先进的制造工艺,提供高带宽和低功耗性能。其主要功能是为系统提供快速的数据存储和访问能力,支持高效的数据处理。
该型号属于三星的Green Package系列,注重环保与节能设计,符合现代电子产品的绿色要求。
容量:1Gb (128Mb x 8)
接口类型:DDR3
工作电压:1.35V
数据速率:1600Mbps
封装形式:BGA 78-ball
工作温度:-40°C to +85°C
I/O标准:1.5V VTT
存取时间:11.25ns
刷新模式:自动刷新/自刷新
K4B1G1646E-HCF8具备高密度和高性能的特点,能够满足现代计算环境对速度和可靠性的严格要求。
1. 支持 DDR3 标准,数据传输速率达到 1600 Mbps,显著提升系统性能。
2. 先进的低功耗设计,工作电压为 1.35V,有效降低能源消耗。
3. 高可靠性,在工业级温度范围内 (-40°C 至 +85°C) 均能稳定运行。
4. 封装尺寸紧凑,便于在小型化设计中使用。
5. 环保材料制成,符合 RoHS 标准,减少对环境的影响。
这款芯片适用于多种需要高性能内存的场景,包括但不限于:
1. 台式电脑和笔记本电脑的内存条。
2. 工业控制设备中的高速数据缓存。
3. 网络路由器和交换机的缓冲存储。
4. 医疗成像设备中的实时数据处理模块。
5. 游戏主机和其他消费类电子产品中的图形加速存储。
K4B1G1646D-HYF8, K4B1G1646Q-HYF8