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K4B1G1646E-HCF8 发布时间 时间:2025/4/30 9:12:44 查看 阅读:21

K4B1G1646E-HCF8是由三星(Samsung)生产的一款DDR3 SDRAM内存芯片,广泛应用于计算机、服务器和其他电子设备中。这款芯片采用先进的制造工艺,提供高带宽和低功耗性能。其主要功能是为系统提供快速的数据存储和访问能力,支持高效的数据处理。
  该型号属于三星的Green Package系列,注重环保与节能设计,符合现代电子产品的绿色要求。

参数

容量:1Gb (128Mb x 8)
  接口类型:DDR3
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  封装形式:BGA 78-ball
  工作温度:-40°C to +85°C
  I/O标准:1.5V VTT
  存取时间:11.25ns
  刷新模式:自动刷新/自刷新

特性

K4B1G1646E-HCF8具备高密度和高性能的特点,能够满足现代计算环境对速度和可靠性的严格要求。
  1. 支持 DDR3 标准,数据传输速率达到 1600 Mbps,显著提升系统性能。
  2. 先进的低功耗设计,工作电压为 1.35V,有效降低能源消耗。
  3. 高可靠性,在工业级温度范围内 (-40°C 至 +85°C) 均能稳定运行。
  4. 封装尺寸紧凑,便于在小型化设计中使用。
  5. 环保材料制成,符合 RoHS 标准,减少对环境的影响。

应用

这款芯片适用于多种需要高性能内存的场景,包括但不限于:
  1. 台式电脑和笔记本电脑的内存条。
  2. 工业控制设备中的高速数据缓存。
  3. 网络路由器和交换机的缓冲存储。
  4. 医疗成像设备中的实时数据处理模块。
  5. 游戏主机和其他消费类电子产品中的图形加速存储。

替代型号

K4B1G1646D-HYF8, K4B1G1646Q-HYF8

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