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IRL3705ZSPBF 发布时间 时间:2025/6/16 19:43:59 查看 阅读:4

IRL3705ZSPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装形式,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等领域。
  这款 MOSFET 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),从而减少了功率损耗并提高了系统效率。其栅极驱动电压范围较宽,适合与常见的逻辑电平兼容,简化了电路设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:14A
  导通电阻 (Rds(on)):3.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:26nC
  总功耗:3.9W
  工作结温范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SO-8

特性

IRL3705ZSPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够在高电流应用中显著降低功率损耗。
  2. 宽范围的栅极驱动电压兼容性,支持从标准逻辑电平到更高驱动电压的应用。
  3. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷,可减少开关损耗。
  4. 高电流处理能力,适用于大功率密度的设计需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  6. 热稳定性强,可在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。

应用

IRL3705ZSPBF 的典型应用场景包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  3. 电机驱动及控制电路中的高效开关元件。
  4. 工业自动化设备中的功率级控制。
  5. 汽车电子系统的电源管理和驱动控制。
  6. 各类便携式设备中的高效节能解决方案。

替代型号

IRL3704S, IRL3803S

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IRL3705ZSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 52A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2880pF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3705ZSPBF