时间：2025/10/29 20:54:44
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D27C256-200V10是一款由Intel推出的高性能、低功耗的256Kbit（32K x 8）CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该芯片采用先进的浮栅技术制造，具有高可靠性与数据保持能力，典型应用于需要长期存储程序代码或固定数据的嵌入式系统中。D27C256-200V10中的'200'表示其最大访问时间为200纳秒，适合中速微处理器系统的接口需求。该器件封装于标准的28引脚DIP（双列直插式封装）或PLCC（塑料引线芯片载体）形式，顶部带有石英窗口，允许在强紫外线照射下擦除存储内容，从而实现多次重复编程。该芯片工作电压为+5V，符合TTL电平兼容标准，便于与多种微控制器和微处理器直接连接。由于其成熟的技术和广泛的行业支持，D27C256-200V10曾广泛用于工业控制设备、通信模块、医疗仪器、消费类电子产品以及老旧计算机系统的固件存储场景。尽管近年来已被更先进的Flash存储器逐步取代，但在某些维护现有设备或对非易失性存储有特殊要求的应用中，该型号仍具使用价值。
型号：D27C256-200V10
容量：256 Kbit (32K x 8)
组织结构：32,768 字节 x 8 位
工艺技术：CMOS EPROM
封装类型：28-pin DIP 或 PLCC
访问时间：200 ns
工作电压：+5V ±10%
编程电压：+12.5V 至 +13.5V
待机电流：≤ 100 μA
工作电流：≤ 75 mA
数据保持时间：≥ 10 年（典型值）
编程脉冲宽度：100 μs（典型）
可擦写次数：≥ 1000 次
工作温度范围：0°C 至 +70°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
输入/输出电平：TTL 兼容
D27C256-200V10具备多项关键特性，使其在传统EPROM应用领域中表现出色。首先，其采用的高性能CMOS工艺显著降低了静态功耗，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长系统电池寿命并减少热管理负担，特别适用于长时间运行且对能耗敏感的设备。其次，该芯片支持标准+5V逻辑电源供电，同时通过片内电荷泵电路生成内部编程所需高压，仅需外部提供+12.5V至+13.5V的编程电压即可完成写入操作，简化了系统设计复杂度。其200ns的存取速度足以满足8位和16位微处理器如8086、8051、68HC11等的时序要求，确保系统稳定运行。此外，该器件内置数据保护机制，在未施加编程电压时自动进入读保护状态，防止误写入或数据篡改。
D27C256-200V10还具备出色的环境适应性和长期数据保持能力。在正常工作条件下，编程后的数据可保存超过10年，即使在高温或电磁干扰较强的工业环境中也能维持稳定性。其石英窗口设计允许用户在需要更新固件时使用专用EPROM擦除器进行全片擦除，之后可重新编程，支持至少1000次的擦写周期，极大提升了开发调试阶段的灵活性。为了提高抗噪性能，该芯片优化了输入缓冲电路，增强了对噪声的抑制能力，确保地址和数据总线信号的完整性。最后，该器件符合多项国际工业标准，具有良好的互换性和供应链支持，是许多老旧但仍在服役的电子系统中的关键组件。
D27C256-200V10广泛应用于各类需要非易失性程序存储的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和传感器模块中存储启动代码、校准参数和控制算法，因其高可靠性和抗干扰能力，适合恶劣工业环境下的长期运行。在通信设备中，该芯片用于存储协议栈代码、配置信息和初始化例程，常见于早期的调制解调器、路由器和交换机等网络设备中。消费类电子产品如老式游戏机、音响系统和家用电器也广泛采用此型号作为固件载体，特别是在需要现场升级或维修更换的场合，其可重复擦写特性提供了极大的便利。
在教育和科研领域，D27C256-200V10因其接口简单、时序清晰而成为微机原理与接口技术课程的教学实验常用器件，帮助学生理解存储器寻址、总线操作和EPROM编程过程。此外，医疗设备制造商在一些长期服役的诊断仪器中仍保留使用该芯片，以确保系统兼容性和维护一致性。虽然现代设计已普遍转向串行Flash或SPI NOR Flash等更小型化、低电压的存储方案，但在设备维修、备件替换和系统延寿项目中，D27C256-200V10依然发挥着重要作用。其成熟的生态系统和广泛的替代渠道也使得工程师能够较为容易地获取技术支持和替换资源。
M27C256B-200VI1
AM27C256KC-200
MBM27C256KC-12L
