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IRL3705NSTRL 发布时间 时间:2025/6/24 8:33:34 查看 阅读:9

IRL3705NSTRL 是一款 N 沫道 场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)生产。该器件专为高效能开关应用设计,采用 SO-8 封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。这种 MOSFET 的工作电压范围较广,适合多种电子电路中的功率管理任务。
  该型号属于逻辑电平 MOSFET,能够在较低的栅极驱动电压下开启,非常适合电池供电或低压系统。

参数

最大漏源电压(Vds):40 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):15 A
  导通电阻(Rds(on)):3.5 mΩ(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):26 nC
  总功耗(Ptot):2.3 W
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C

特性

IRL3705NSTRL 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升效率。
  2. 快速开关性能,减少开关损耗,适用于高频应用。
  3. 逻辑电平兼容,支持低至 4.5V 的栅极驱动电压即可完全开启。
  4. 稳定性高,能够在较高的结温下保持性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 采用标准 SO-8 封装,易于集成到各种 PCB 设计中。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电池管理系统(BMS)。
  3. 消费类电子产品中的负载开关。
  4. 电动工具及小型电机驱动。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. LED 驱动器和汽车电子系统中的功率管理部分。

替代型号

IRL3704S, IRL3705S, FDP5570

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IRL3705NSTRL产品

IRL3705NSTRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C89A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 46A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)