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IRL3705NSPBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:44:15 查看 阅读:4

IRL3705NSPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。其封装形式为TO-252(DPAK),能够提供良好的散热性能。
  IRL3705NSPBF以其出色的效率和耐用性在工业电子、汽车电子以及消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:42A
  最大栅源电压:±20V
  典型导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ@Vgs=10V
  栅极电荷:19nC
  总电容:1300pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关特性,减少开关损耗。
  4. 增强的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 逻辑电平驱动设计,简化了电路设计,降低了对驱动电路的要求。
  7. 具有强大的抗浪涌电流能力,增强了可靠性。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 汽车电子设备中的负载切换
  5. 工业自动化中的功率控制
  6. 大功率LED驱动器
  7. 各种需要高效功率管理的场合

替代型号

IRLZ44N, IRL540N, FDP18N06L

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IRL3705NSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C89A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 46A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3705NSPBF