时间：2025/5/19 11:49:03
阅读：5
TE28F800B3BA90 是一种闪存（Flash Memory）芯片，属于 28F 系列。该系列芯片广泛应用于数据存储和程序代码存储领域，具有高可靠性、低功耗和快速访问的特点。TE28F800B3BA90 的设计使其适合于嵌入式系统、网络设备以及消费类电子产品中。
这款芯片采用先进的制造工艺，支持多种工作电压范围，同时具备较高的擦写寿命和数据保持能力。
容量：8Mb
接口类型： asynchronous (异步)
工作电压Vcc：2.7V至3.6V
待机电流：1μA（典型值）
访问时间：70ns
封装形式：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
擦写次数：100,000 次（最小值）
数据保存时间：20年
TE28F800B3BA90 提供了大容量的非易失性存储解决方案。
其主要特点包括：
1. 高密度存储能力，能够满足复杂的程序和数据存储需求。
2. 异步接口简化了与微控制器或处理器之间的连接，提升了系统的整体性能。
3. 支持宽范围的工作电压，适用于各种电池供电设备。
4. 极低的待机电流延长了便携式设备的续航时间。
5. 快速访问时间和可靠的擦写寿命，确保高效稳定的数据操作。
6. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
TE28F800B3BA90 适用于需要大容量存储的应用场景，包括但不限于：
1. 嵌入式控制系统中的程序代码存储。
2. 数字电视、机顶盒等消费电子产品的固件存储。
3. 工业控制设备中的数据记录功能。
4. 网络路由器、交换机等通信设备的配置文件存储。
5. 手持终端和便携式医疗设备中的历史数据存储。
由于其高性能和可靠性，该芯片成为了众多行业的理想选择。
TE28F160C3BA90
AM29LV800BB
SST39VF800A
