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IRL3303PBF 发布时间 时间:2025/7/1 21:07:17 查看 阅读:7

IRL3303PBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于功率转换、电机驱动、电源管理等领域。其封装形式为SO-8,适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度设计。
  该器件的主要特点是低导通电阻和低栅极电荷,能够有效减少导通损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏电流:17A
  导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:280pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRL3303PBF具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(6.5mΩ),能够在大电流应用中降低功耗。
  2. 高效的开关性能,得益于其较低的栅极电荷(29nC),适用于高频应用。
  3. 支持宽范围的工作温度(-55℃至175℃),适合恶劣环境下的工业和汽车应用。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 封装采用SO-8形式,提供良好的散热性能和机械稳定性。
  这些特点使得IRL3303PBF成为各种功率电子应用的理想选择,尤其是在需要高效能和低热量产生的场合。

应用

IRL3303PBF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 汽车电子系统,例如电动助力转向和制动系统。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和驱动。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
  由于其优异的电气特性和可靠性,IRL3303PBF在上述应用场景中表现出色,满足了现代电子产品对效率和性能的严格要求。

替代型号

IRLZ34N, IRL3803, FDN336N

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IRL3303PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大68W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3303PBF