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IRL3102STRR 发布时间 时间:2025/7/12 1:07:00 查看 阅读:12

IRL3102STRR是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET功率场效应晶体管。该器件采用小型化的TO-252 (DPAK)封装形式,适用于高频开关和低功耗应用场合。
  IRL3102STRR具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电源管理等应用领域。其低导通电阻可以有效减少功率损耗,提高系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:46A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):6.5mΩ
  总功耗:78W
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)
  存储温度范围:-65℃至150℃

特性

IRL3102STRR具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在Vgs=10V时仅为6.5mΩ,能够显著降低功率损耗并提升效率。
  2. 较高的持续漏极电流能力,达到46A,适应大电流应用需求。
  3. 优化的开关性能,支持高频操作,适用于现代高效电源设计。
  4. 高可靠性和稳定性,可承受较宽的工作温度范围,从-55℃到175℃。
  5. 小巧的TO-252封装便于印刷电路板布局,同时提供良好的散热性能。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

IRL3102STRR广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和控制器。
  2. DC-DC转换器中的主开关或辅助开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、平板充电器。
  5. 工业控制和电机驱动电路。
  6. 车载电子系统中的电源管理模块。

替代型号

IRL3103S, IRL3104STRR, IRL3105STRR

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IRL3102STRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 37A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 15V
  • 功率 - 最大89W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)