IRL3102STRR是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET功率场效应晶体管。该器件采用小型化的TO-252 (DPAK)封装形式,适用于高频开关和低功耗应用场合。
IRL3102STRR具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电源管理等应用领域。其低导通电阻可以有效减少功率损耗,提高系统效率。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:46A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值,Vgs=10V):6.5mΩ
总功耗:78W
工作结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
存储温度范围:-65℃至150℃
IRL3102STRR具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在Vgs=10V时仅为6.5mΩ,能够显著降低功率损耗并提升效率。
2. 较高的持续漏极电流能力,达到46A,适应大电流应用需求。
3. 优化的开关性能,支持高频操作,适用于现代高效电源设计。
4. 高可靠性和稳定性,可承受较宽的工作温度范围,从-55℃到175℃。
5. 小巧的TO-252封装便于印刷电路板布局,同时提供良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
IRL3102STRR广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和控制器。
2. DC-DC转换器中的主开关或辅助开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、平板充电器。
5. 工业控制和电机驱动电路。
6. 车载电子系统中的电源管理模块。
IRL3103S, IRL3104STRR, IRL3105STRR