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IRL2910PBF 发布时间 时间:2025/7/12 15:56:59 查看 阅读:8

IRL2910PBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平MOSFET。这款器件专为低电压应用而设计,采用SO-8封装形式。其低导通电阻和快速开关性能使其非常适合用于负载切换、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理等场景。
  该器件的额定漏极电流较高,能够在较低的工作电压下提供高效率的功率传输,同时具备良好的热稳定性和耐用性。

参数

最大漏源电压:30V
  最大漏极电流:54A
  导通电阻(典型值):6.5mΩ
  栅极电荷(典型值):7.8nC
  最大功耗:1.9W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRL2910PBF是一款高性能的MOSFET,具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,在满载条件下能够显著减少功率损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速的开关速度,得益于较小的栅极电荷,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高度稳定的电气性能,即使在高温环境下也能保持可靠的运行。
  4. 小巧的SO-8封装设计,节省PCB空间,便于散热设计。
  5. 支持逻辑电平驱动,可以与3.3V或5V的控制器直接连接,无需额外的驱动电路。

应用

IRL2910PBF适用于广泛的电子领域,包括但不限于:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电池供电设备中的负载切换。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的功率控制模块。
  5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  6. 通信电源和消费类电子产品中的高效功率管理单元。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDN340P

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IRL2910PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C55A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 29A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3700pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL2910PBF