时间：2025/4/29 14:33:25
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IPB180P04P4L-02 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。其封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装工艺，能够有效节省空间并提高散热性能。
这款 MOSFET 的额定电压为 40V，能够承受较高的瞬态电压冲击，同时具备出色的电流处理能力，最大连续漏极电流可达 180A（在特定条件下）。此外，IPB180P04P4L-02 还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
最大额定电压：40V
最大连续漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：96nC
输入电容：3480pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK（TO-252）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度和较低的栅极电荷，减少开关过程中的能量损失。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用场景的需求。
4. 先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更高的效率和可靠性。
5. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
6. 表面贴装封装设计，简化 PCB 布局并优化散热性能。
IPB180P04P4L-02 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC-DC 转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的负载开关
6. 电信和网络设备中的功率管理模块
7. 电动汽车及混合动力汽车的电子系统
IPW180P04P4L-02, IRF3205, FDP18N04
