IRL1620 时间：2025/12/26 21:02:06 阅读：10

IRL1620是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，使其在低电压应用中表现出色。IRL1620特别适合用于电池供电系统或要求低导通损耗和快速开关响应的应用场景。其封装形式通常为TO-220AB或类似的通孔封装，便于散热和安装于各种功率电路板上。由于其逻辑电平兼容的栅极驱动特性，可直接由微控制器或其他低电压驱动电路控制，无需额外的电平转换电路，进一步简化了系统设计。该器件具备良好的热稳定性和可靠性，符合工业级温度范围要求，适用于严苛的工作环境。

参数

型号：IRL1620
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：20A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：80A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：最大45mΩ（@ VGS = 10V）
　　导通电阻RDS(on)：最大60mΩ（@ VGS = 4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V（@ ID = 250μA）
　　输入电容Ciss：约950pF（@ VDS = 25V）
　　输出电容Coss：约370pF（@ VDS = 25V）
　　反向恢复时间trr：约35ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

IRL1620的核心优势在于其低导通电阻与逻辑电平驱动能力的结合，这使得它在低电压开关应用中表现尤为出色。其导通电阻在VGS = 10V时典型值仅为45mΩ，在VGS = 4.5V时仍可保持在60mΩ以下，这意味着即使在使用3.3V或5V逻辑电平驱动的情况下，也能实现较低的导通损耗，提升系统效率。这一特性对于便携式设备、电池管理系统、电动工具以及汽车电子等对功耗敏感的应用至关重要。
　　该器件采用沟槽栅极工艺制造，这种结构有助于减小芯片尺寸的同时提高单位面积的载流能力，从而实现更高的电流密度和更优的热性能。此外，沟槽结构还能有效降低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），加快开关速度，减少开关过程中的能量损耗，提升整体转换效率。这对于高频开关电源如同步整流器、Buck/Boost变换器等应用场景非常有利。
　　IRL1620具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达175°C，并且具有较高的雪崩耐量，能够在瞬态过压或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管也经过优化，具有较快的反向恢复特性（trr约35ns），减少了在续流过程中的反向恢复电荷，降低了电磁干扰（EMI）风险，尤其在桥式拓扑结构中表现更佳。
　　该MOSFET还通过了工业级可靠性认证，具备优良的抗湿性、抗振动和长期稳定性，适用于工业自动化、电源模块、LED驱动电源等多种环境。其TO-220封装具备良好的散热能力，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力，适用于中等功率等级的设计需求。同时，该封装易于手工焊接和自动化装配，适合批量生产。

应用

IRL1620常用于多种中低电压功率开关场景。典型应用包括直流电机驱动电路，特别是在机器人、电动玩具、家用电器中的H桥驱动结构中，利用其低导通电阻和快速开关特性实现高效正反转控制。在开关模式电源（SMPS）中，该器件可用于Buck、Boost或Buck-Boost拓扑的主开关管或同步整流管，尤其是在输入电压低于24V的系统中表现优异。此外，在电池供电设备如移动电源、电动自行车控制器、UPS不间断电源中，IRL1620可用于充放电管理回路中的功率通断控制。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车载照明驱动、风扇控制、车窗升降电机驱动等12V系统应用。其逻辑电平兼容性允许直接由微控制器GPIO引脚驱动，简化了驱动电路设计，降低了系统成本。在工业控制方面，可用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）、电磁阀驱动等需要高可靠性和长寿命的场合。此外，IRL1620也适用于逆变器、太阳能充电控制器、LED恒流驱动电源等绿色能源与照明系统中，凭借其高效率和良好热性能提升整体系统能效。