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IRL1004S 发布时间 时间:2025/6/28 20:09:57 查看 阅读:6

IRL1004S 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用小型化TO-252封装,适用于高频开关应用和功率转换电路。该器件具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,并支持高达30V的漏源极电压(Vds)。其快速开关特性和较低的栅极电荷使得IRL1004S非常适合于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种消费类电子产品的电源管理领域。
  此外,IRL1004S支持较高的连续漏极电流,能够在较大负载下稳定运行。由于其逻辑电平驱动特性,可以直接与常见的微控制器或数字IC接口连接,而无需额外的驱动电路。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):6nC (典型值)
  总功耗(Ptot):1.2W
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗,提高效率。
  2. 支持逻辑电平驱动,可以兼容3.3V和5V系统,便于直接连接微控制器。
  3. 高速开关能力,适合高频应用,例如开关电源和DC-DC转换器。
  4. 小巧的TO-252封装设计,节省PCB空间,同时具备良好的散热性能。
  5. 工作温度范围广,适应恶劣环境条件,保证可靠性。
  6. 栅极电荷较低,可减少驱动功耗,进一步优化整体效率。
  7. 稳定性高,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率控制场景。

应用

1. 开关电源(Switching Power Supplies)
  2. DC-DC转换器
  3. 负载开关
  4. 电池管理及保护电路
  5. 电机驱动和控制
  6. 消费类电子设备的电源管理
  7. 固态继电器替代方案
  8. 工业自动化设备中的功率控制模块

替代型号

IRLZ44N, FDP5575, AO3402A

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IRL1004S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 78A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5330pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL1004S