型号：IRKT91-06
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　脉冲漏极电流（Idm）：360A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.3mΩ（最大值1.6mΩ）@ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：典型值70nC
　　输入电容（Ciss）：典型值4500pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值35ns
　　反向恢复时间（trr）：典型值30ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PG-HSOF-5

IRKT91-06采用英飞凌独有的TrenchSTOP? 5技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势在于通过优化的沟槽结构和场截止层设计，大幅降低单位面积下的导通损耗，从而在高电流条件下仍能保持较低的工作温升。该器件的Rds(on)典型值仅为1.3mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）控制在70nC左右，意味着驱动电路所需的能量较小，有利于降低驱动损耗并提升开关频率，适用于高频DC-DC变换器等对效率要求严苛的应用场景。
　　另一个关键特性是其出色的开关行为。得益于优化的器件内部寄生参数，IRKT91-06在开通和关断过程中表现出较低的电压和电流应力，减少了电磁干扰（EMI）风险。其开启延迟时间约为15ns，关断延迟时间为35ns，配合快速的体二极管反向恢复时间（trr≈30ns），使得器件在硬开关拓扑中也能实现高效运行。此外，该MOSFET的封装采用底部散热设计，能够有效将热量传导至PCB，结合大面积铺铜可实现良好的热管理。PG-HSOF-5封装还具备较小的引脚电感，有助于抑制开关瞬态过程中的振铃现象，进一步提升系统可靠性。
　　IRKT91-06还具备良好的鲁棒性，能够承受一定的雪崩能量，并通过了严格的质量认证流程。其最大工作结温可达+175°C，表明其在高温环境下仍能安全运行，适用于恶劣工况下的工业和汽车电子系统。此外，器件具有较强的抗短路能力，并可通过外部栅极电阻调节开关速度以适应不同应用场景的需求。总体而言，IRKT91-06凭借其低损耗、高电流能力和可靠封装，成为中低压大电流功率转换领域的理想选择之一。

IRKT91-06广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC降压变换器，尤其是在服务器电源和通信电源中作为同步整流或主开关使用。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于48V转12V或12V转5V/3.3V的多相VRM（电压调节模块）设计，能够在高负载条件下保持低损耗和高效率。此外，该器件也常用于电动工具、电动自行车及轻型电动车的电机驱动电路中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，提供快速响应和高动态性能。
　　在工业自动化领域，IRKT91-06可用于伺服驱动器、PLC输出模块以及直流电机控制器中，承担功率切换任务。其快速开关特性和良好的热稳定性确保了长时间运行下的系统可靠性。同时，由于其封装支持表面贴装工艺，便于实现自动化生产，提升了制造效率。在电信设备电源系统中，该MOSFET可用于隔离式DC-DC转换器的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管，显著降低导通压降和功耗，从而提高整体能效。此外，也可应用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或作为OR-ing FET用于冗余电源系统中，防止反向电流流动。凭借其高性价比和优异性能，IRKT91-06已成为多种中低端功率应用中的主流选择。

IRLR91-06PbF
　　IRLHS91-06
　　BSC016N06LS