型号：IRKL91/08
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)：4.2A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：16.8A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大功耗(PD)：1.4W（在TA=25°C时）
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ（当VGS=10V时）
　　导通电阻(RDS(on))：27mΩ（当VGS=4.5V时）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：500pF（在VDS=15V时）
　　输出电容(Coss)：190pF
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PG-SOT23-6

IRKL91/08采用先进的沟道MOSFET工艺，具备优异的导通特性和开关性能。其核心优势在于低导通电阻，这使得在中等电流负载下能够显著减少功率损耗，提升系统效率。例如，在VGS=10V时，RDS(on)仅为22mΩ，而在常见的逻辑电平驱动条件下（如VGS=4.5V），其导通电阻也仅27mΩ，足以支持大多数低电压、高效率的应用场景。这种低RDS(on)得益于英飞凌优化的晶圆制造工艺和单元结构设计，能够在不牺牲可靠性的前提下实现更高的载流能力。
　　该器件具有良好的热稳定性，PG-SOT23-6封装虽然体积小巧，但通过优化引脚布局和内部连接方式，提升了散热效率，使器件在有限空间内也能有效散发热量。结合其1.4W的最大功耗能力，使其可在较高环境温度下稳定工作。此外，IRKL91/08具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于减少驱动损耗并加快开关速度，从而适用于高频开关电源设计，如同步降压变换器或负载开关电路。
　　另一个重要特性是其出色的动态性能。输入电容Ciss约为500pF，输出电容Coss为190pF，在同类产品中处于较优水平，有利于减小驱动电路的负担并降低电磁干扰（EMI）。同时，较短的反向恢复时间（trr=18ns）意味着体二极管在反向恢复过程中能量损耗较小，减少了交叉导通风险，特别适合用于半桥或同步整流拓扑。
　　IRKL91/08还具备较强的抗静电放电（ESD）能力和过压耐受性，栅氧化层经过强化处理，可承受±20V的栅源电压，增强了实际使用中的鲁棒性。器件符合工业级温度规范，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适用于严苛环境下的应用。总体而言，IRKL91/08凭借其高性能参数、小型化封装和高可靠性，成为众多消费类及工业类电源设计中的优选器件。

IRKL91/08广泛应用于多种低压、高效率的电源管理场景中。典型用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和延长电池寿命。例如，在智能手机和平板电脑中，它可用于显示屏背光电源的启停控制，或在处理器核心与外设之间进行电源域切换。
　　在DC-DC转换器领域，尤其是同步降压（Buck）转换器中，IRKL91/08常被用作低边同步整流管，替代传统的肖特基二极管，从而大幅降低导通损耗，提高转换效率。由于其低RDS(on)和快速开关特性，特别适合工作频率在几百kHz到数MHz之间的高频率电源设计。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路、LED驱动电源以及USB充电端口的限流与保护电路中。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电路径的通断控制。由于其封装小巧，非常适合PCB空间紧张的高密度主板设计，如超薄笔记本电脑、穿戴式设备和物联网终端等。
　　在工业控制方面，IRKL91/08可用于传感器电源管理、继电器驱动或小功率开关电源的次级侧整流。其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围，使其能在各种环境条件下可靠运行。总之，凡是对效率、尺寸和成本有综合考量的低压开关应用，IRKL91/08都是一个极具竞争力的选择。

IRLML6344TRPBF
　　SI2302CDS-T1-E3
　　FDS6680A