类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　连续漏极电流（ID）：1.7 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：6.8 A
　　导通电阻（RDS(on)）：55 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：75 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　栅极电荷（Qg）：6.5 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：300 pF @ VDS = 30 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（Ptot）：1.4 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PG-SOT23-3 (SOT-23)

IRKL41-06采用英飞凌成熟的沟槽栅极技术和场截止工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗，使其在同类小封装MOSFET中具备优异的性能表现。其低至55mΩ的RDS(on)在VGS=10V条件下，确保了在中等电流负载下的低功耗运行，减少发热并提升系统效率。更重要的是，该器件在VGS=4.5V时仍能保持75mΩ的低导通电阻，表明其良好的逻辑电平驱动兼容性，非常适合由3.3V或5V逻辑信号直接控制的应用场景，如微控制器I/O口驱动负载开关。器件的栅极阈值电压典型值为1.8V，保证了在低电压启动条件下的可靠开启。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=6.5nC），有助于降低驱动电路的能量消耗，并支持更高的开关频率操作，适用于DC-DC降压变换器、同步整流等高频电源拓扑结构。同时，其输入电容仅为300pF，在高速开关过程中减少了充电时间，进一步提升了响应速度。尽管是小型SOT-23封装，IRKL41-06通过优化芯片布局和封装材料，实现了良好的热传导性能，可在环境温度较高的情况下稳定工作。器件还具备较强的抗雪崩能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。
　　IRKL41-06内部集成体二极管，其反向恢复时间较短（trr=28ns），有助于减少反向恢复损耗，尤其在感性负载切换或桥式电路中表现更佳。此外，该器件具有优良的dv/dt和di/dt抗扰度，能够有效抑制开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），提高系统的电磁兼容性。其-55°C至+150°C的宽结温范围，使其不仅适用于常规商业环境，也能在工业级温度条件下可靠运行。整体而言，IRKL41-06是一款高性能、小体积、易于集成的功率MOSFET，特别适合追求高功率密度与高效率的小型化电子设计。

IRKL41-06广泛应用于各类需要小型化、高效率功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池供电切换与负载开关控制。其低导通电阻和快速开关特性使其成为DC-DC转换器中理想的同步整流器或高端/低端开关元件，尤其是在升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构中表现优异。此外，该器件常用于LED驱动电路中作为恒流开关或调光控制元件，能够实现精确的亮度调节并减少能量损耗。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，IRKL41-06可用于驱动继电器、电机、传感器或其他执行机构的电源通断控制，利用其逻辑电平兼容特性，可直接由MCU GPIO引脚驱动，简化电路设计并节省PCB空间。它也适用于热插拔电路、电源多路复用器（Power MUX）以及USB端口的电流限制与过载保护功能。在通信设备中，该MOSFET可用于信号路径切换、射频模块供电控制等场合。
　　由于其SOT-23小型封装和表面贴装特性，IRKL41-06特别适合自动化贴片生产流程，广泛用于消费类电子、工业控制、智能家居设备、物联网终端节点等对成本、尺寸和功耗有严格要求的应用领域。同时，其可靠的电气特性和稳定的温度性能也使其适用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、传感器模块和辅助照明控制等。总之，任何需要高效、紧凑且可靠的N沟道MOSFET进行电源或信号控制的场合，IRKL41-06都是一个极具竞争力的选择。

IRLML61G
　　SI2301DDS-T1-E3
　　AO3400
　　FDMC8878
　　BSS138AK