时间：2025/7/16 12:44:35
阅读：4
IRKHF200-12HJN 是一款高性能的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，适用于高电压和大电流的应用场合。该器件采用了先进的沟槽栅技术与场截止技术，从而显著提高了开关速度和降低了导通损耗。其高可靠性、低饱和压降以及出色的热稳定性使其成为工业电源、电机驱动和新能源领域的理想选择。
该型号属于 Infineon 的产品线，设计用于高效能功率转换应用。其封装形式为行业标准的模块化设计，便于集成到各种系统中。
额定电压：1200V
额定电流：200A
最大结温：175℃
开通时间：90ns
关断时间：110ns
功耗：180W
集电极-发射极饱和电压：1.8V
门极阈值电压：4V
存储温度范围：-55℃至150℃
IRKHF200-12HJN 提供了卓越的电气性能和热性能。得益于先进的制造工艺，该器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和导通损耗，从而提升了整体效率。
此外，其具备强大的短路耐受能力，能够在极端情况下保护电路不受损坏。通过优化的内部布局和材料选择，该IGBT模块还提供了优秀的散热性能，确保长时间稳定运行。
该器件支持快速开关操作，并且具有较低的电磁干扰（EMI），这有助于简化系统设计并减少额外滤波组件的需求。
IRKHF200-12HJN 还配备了反并联二极管，进一步增强了其在整流和逆变等复杂应用场景中的表现。
该型号广泛应用于需要高功率密度和高效率的场景，包括但不限于以下领域：
1. 工业变频器和伺服驱动
2. 太阳能逆变器和风能发电系统
3. 电动汽车牵引逆变器
4. 不间断电源（UPS）和电池充电设备
5. 焊接机和其他高能耗工业设备
6. 高压直流输电（HVDC）系统
FF200R12KE4, IRGB40B12DPBF, CM200DY-12F
