型号：IRKH91/12
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200 V
　　漏极电流（ID）：9.1 A（TC=25°C）
　　连续漏极电流（ID）：9.1 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：36.4 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：1.15 Ω（@ VGS = 15 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：5.0 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ VDS = 600 V）
　　输出电容（Coss）：150 pF（@ VDS = 600 V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.7 V（@ IS = 4.55 A）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247-3L

IRKH91/12采用了英飞凌独有的TrenchStop? 技术，这是一种基于深沟槽刻蚀工艺的先进功率MOSFET结构，能够在1200V高耐压条件下实现极低的导通电阻和优异的开关性能。这种技术通过精确控制沟道密度和掺杂分布，显著降低了单位面积的比导通电阻（RDS(on) × A），从而在相同芯片尺寸下获得更低的导通损耗。同时，TrenchStop结构优化了电场分布，增强了器件在高压阻断状态下的稳定性和可靠性，有效抑制了局部电场集中导致的早期击穿现象。
　　该器件具有非常低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得其在高频开关应用中表现出色，能够大幅降低驱动损耗并提高系统效率。特别是在硬开关拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激式变换器中，IRKH91/12可以显著减少开通和关断过程中的能量损耗，提升整体能效。此外，其快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr）和较低的反向恢复电荷（Qrr），减少了二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。
　　IRKH91/12的工作结温可达+150°C，并具备良好的热稳定性，即使在恶劣的环境温度或持续高负载条件下也能安全运行。其坚固的TO-247-3L封装不仅提供了优良的散热路径，还增强了机械强度和电气绝缘能力，适用于工业级和能源类产品的严苛要求。此外，该器件通过了AEC-Q101认证，表明其在可靠性方面达到了汽车电子应用的标准，进一步拓展了其在新能源汽车充电模块、车载DC-DC转换器等领域的适用性。

IRKH91/12广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用领域包括工业电机驱动，其中该器件可用于PWM调速控制电路，利用其低导通损耗和快速响应特性实现高效的能量转换与精确的速度调节。在开关模式电源（SMPS）中，尤其是大功率离线式电源，IRKH91/12常被用作主开关管，在反激、正激或半桥拓扑结构中发挥关键作用，帮助实现高效率和小型化设计。
　　在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能系统，IRKH91/12可用于直流斩波器或DC-AC逆变环节，承担高压侧功率切换任务。其1200V的额定电压使其特别适用于组串式或微型逆变器中的升压级（Boost Stage），能够高效地将太阳能板输出的直流电压提升至母线电压水平。此外，在不间断电源（UPS）和服务器电源等高端电源设备中，该器件也常用于PFC（功率因数校正）电路，尤其是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）下工作的升压拓扑中，表现出优异的动态响应和低损耗特性。
　　由于其具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，IRKH91/12也可用于感应加热、电焊机和高压照明电源等特殊工业应用。这些场景通常存在瞬态过压、浪涌电流或频繁启停等挑战性工况，而该器件的鲁棒性设计确保了在极端条件下的长期稳定运行。此外，随着电动汽车基础设施的发展，IRKH91/12还可用于车载充电机（OBC）和充电桩内部的辅助电源模块，满足汽车级对安全性和寿命的严格要求。

IKW90N120T2
　　IKW75N120T2
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