时间：2025/6/18 9:14:41
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FCH47N60F-F133 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点，适用于各种高效能电源管理应用。
FCH47N60F-F133 的额定电压为 600V，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。其封装形式通常为 DPAK（TO-252），适合表面贴装工艺，便于自动化生产和散热设计。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（典型值）：2.9Ω
栅极电荷：17nC
输入电容：780pF
总功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DPAK（TO-252）
1. 高耐压能力：FCH47N60F-F133 提供了高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻：在特定条件下，该 MOSFET 的导通电阻仅为 2.9Ω（典型值），从而降低了导通损耗并提升了效率。
3. 快速开关性能：由于其较低的栅极电荷和输入电容，这款 MOSFET 能够实现快速的开关切换，减少了开关损耗。
4. 热稳定性：良好的热性能使其能够在较高温度范围内可靠运行，适应多种工业场景。
5. 表面贴装封装：DPAK 封装形式简化了 PCB 设计和生产流程，同时提供了较好的散热特性。
FCH47N60F-F133 广泛应用于需要高压开关功能的电子电路中，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 电池充电器
6. PFC（功率因数校正）电路
7. 各种负载开关应用
该器件凭借其优异的性能和可靠性，在这些领域内得到了广泛应用。
FCH47N60FTR,PMEG47N60CEH,IRFB4706ZPBF
