型号：IRKH26-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40 V
　　最大连续漏极电流（Id）：17 A（在TC=25°C）
　　导通电阻Rds(on)：典型值10.5 mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.8 V
　　输入电容（Ciss）：约1300 pF（在Vds=20V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　总栅极电荷（Qg）：典型值27 nC（在Vds=30V, Id=8.5A, Vgs=10V）
　　反向恢复时间（trr）：约26 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PG-HSOF-8（表面贴装）
　　功率耗散（Ptot）：约50 W（在TC=25°C）
　　雪崩能量额定值：有支持
　　极性：增强型N沟道
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：8

IRKH26-04采用了英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺技术，这种结构设计显著降低了导通电阻Rds(on)，同时提升了器件的电流处理能力。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为10.5mΩ，这使得它在大电流应用场景下能够有效减少导通损耗，提高系统能效。低导通电阻还意味着更少的热量产生，有助于简化热管理系统的设计。此外，该MOSFET的栅极电荷Qg较低，典型值为27nC，这意味着驱动电路所需的能量较少，有利于实现更高的开关频率而不会大幅增加驱动损耗。这对于高频DC-DC转换器尤为重要，因为高开关频率可以减小磁性元件的体积，从而实现更紧凑的电源设计。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。IRKH26-04具有较低的输出电容和反馈电容，这减少了开关过程中的能量损失，尤其是在硬开关拓扑中表现突出。其反向恢复时间trr约为26ns，相较于传统MOSFET有所优化，有助于降低体二极管反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰问题。这一特性使其非常适合用于同步整流电路，特别是在隔离式或非隔离式降压变换器中作为下管使用。此外，该器件具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，确保在高温环境下仍能安全运行。
　　PG-HSOF-8封装不仅提供了优良的电气连接性能，还具备出色的散热能力。该封装底部集成了散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内层或外壳，从而有效降低热阻。这种设计使得IRKH26-04即使在高功率密度应用中也能维持较低的温升，延长器件寿命并提升可靠性。此外，该封装符合行业标准的小外形尺寸，便于自动化贴片生产，提高了制造效率。综合来看，IRKH26-04凭借其低Rds(on)、快速开关响应、良好热性能和紧凑封装，成为众多高性能电源系统的优选器件。

IRKH26-04广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子系统中。首先，在DC-DC转换器领域，特别是同步整流降压（Buck）转换器中，该器件常被用作低边开关（Low-side MOSFET），利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率，减少能量损耗。这类应用常见于服务器电源、笔记本电脑主板、显卡供电模块以及嵌入式计算平台等对能效要求较高的设备。
　　其次，在负载开关电路中，IRKH26-04可用于控制电源路径的通断，例如在电池供电系统或多电源轨系统中实现电源分配管理。其低静态电流和快速开启/关断能力可有效防止电压跌落和浪涌电流，保护后级电路。此外，该器件也适用于电机驱动应用，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，其高电流承载能力和耐压性能保障了驱动系统的稳定性与响应速度。
　　在通信电源和工业控制系统中，IRKH26-04同样发挥重要作用。例如，在PoE（Power over Ethernet）供电设备中，该MOSFET可用于二次侧整流或电源切换控制；在PLC（可编程逻辑控制器）或其他工业模块中，则可用于数字输出通道的功率驱动。此外，由于其符合RoHS标准且具备良好的环境适应性，IRKH26-04也可用于汽车电子辅助系统、LED驱动电源以及便携式医疗设备等领域。总之，凡是需要高效率、小体积和高可靠性的功率开关场合，IRKH26-04均是一个极具竞争力的选择。

IRLH26-04
　　IRLHS26-04
　　IPD90N04S4L-04