时间：2025/4/30 15:46:49
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IPB180N04S3-02是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型技术，主要应用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等领域。其设计优化了导通电阻和开关性能，在高效率和高可靠性应用中表现出色。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性等特点。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：180A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：67nC
开关时间：开通延迟时间39ns，关断下降时间23ns
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
这款MOSFET的主要特点是其低导通电阻，仅为1.5mΩ，从而显著降低了传导损耗并提升了整体系统效率。
此外，它具备快速的开关速度，栅极电荷较小，有助于减少开关损耗。
器件的工作结温范围宽广，支持从-55℃到175℃的极端温度环境，使其适用于各种工业和汽车场景。
该芯片还拥有强大的雪崩能力和鲁棒性，可有效应对异常操作条件下的过压事件。
D2PAK封装提供良好的散热性能，便于将热量散发到外部环境，确保长期稳定运行。
IPB180N04S3-02适用于多种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器和充电器中的功率级元件。
2. 工业电机驱动和逆变器，用于精确控制电机速度和扭矩。
3. 汽车电子设备中的负载切换和电池管理。
4. DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路，以实现高效的能量转换。
5. 各种大电流应用场景下的同步整流和功率传输。
IPW180N04S3L-02, IRFB4110TRPBF
