型号：IRKH26/14
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大漏极电流（ID）：26 A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：104 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V（典型值约3.7 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：85 mΩ（@ VGS = 10 V, ID = 13 A）
　　输入电容（Ciss）：2090 pF（@ VDS = 400 V）
　　输出电容（Coss）：190 pF
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　功耗（PD）：200 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-247

IRKH26/14具备多项关键特性，使其在高功率开关应用中表现出色。首先，其85mΩ的低导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其在大电流负载下优势明显。其次，器件采用了英飞凌先进的Superjunction（超级结）技术，实现了在600V高耐压条件下的优异性能平衡，既保证了电压阻断能力，又大幅减小了导通与开关损耗。这种结构使得IRKH26/14非常适合用于连续导通模式（CCM）PFC电路、LLC谐振转换器以及硬开关PSFB拓扑中。
　　另一个重要特性是其出色的热稳定性与高功率密度设计。TO-247封装提供了良好的热传导路径，结合高达200W的功率耗散能力，使器件能在高温环境中持续稳定运行。同时，较低的热阻（RthJC）有助于快速将热量从结传递至散热器，避免局部过热导致的失效风险。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg ≈ 105 nC @ VGS=10V），这直接减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，并允许使用更小尺寸的驱动芯片或集成控制器，从而简化外围设计并节省PCB空间。
　　IRKH26/14还具备优秀的抗雪崩能力，经过严格测试验证，能够承受单脉冲和重复脉冲雪崩事件而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其坚固的栅氧化层设计支持±30V栅源电压耐受范围，提升了对电压尖峰和噪声干扰的容忍度，降低了因误触发或过压导致的栅极击穿风险。此外，器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，意味着它通过了严苛的温度循环、高温反偏、湿度敏感度等多项认证测试，适用于车载电源系统等对寿命和稳定性要求极高的场合。综上所述，这些特性共同构成了IRKH26/14在高端电源应用中的核心竞争力。

IRKH26/14广泛应用于各类高效率、高可靠性的电力电子系统中。主要应用领域包括工业用开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、电信整流器和工业自动化设备中作为主开关或同步整流器件使用。其600V耐压等级和低RDS(on)特性使其成为PFC（功率因数校正）升压级的理想选择，尤其是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）电路中表现优异，有助于满足能源之星和IEC 61000-3-2等能效与谐波标准。
　　在可再生能源领域，该器件可用于光伏逆变器中的DC-AC转换级或直流优化器内部的高频斩波电路，凭借其快速开关速度和低损耗特性提升系统转换效率。同时，在电动汽车相关应用中，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源单元，IRKH26/14因其通过AEC-Q101认证而备受青睐，能够在宽温度范围和振动环境下保持稳定性能。
　　此外，该MOSFET也适用于UPS不间断电源、激光电源、医疗电源等对安全性和可靠性要求较高的设备中。其抗雪崩能力和稳健的封装设计有助于提升系统在短路、浪涌或冷启动等极端情况下的生存能力。在电机驱动方面，可用于中小功率的三相逆变器或BLDC/PMSM驱动电路，配合合适的驱动IC实现高效调速控制。总体而言，IRKH26/14凭借其综合性能优势，已成为现代高效能、高密度电源设计中的关键元件之一。

IPW60R085K5
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