型号：IRKH170/12
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200 V
　　漏极电流（Id）@25°C：16 A
　　漏极电流（Id）@100°C：8 A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=18V：170 mΩ 毛刺
　　栅极电荷（Qg）典型值：180 nC
　　输入电容（Ciss）：4050 pF
　　输出电容（Coss）：190 pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或极快恢复
　　最大结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：TO-247-3

IRKH170/12的核心特性之一是其基于英飞凌先进超结（Superjunction）技术的设计，这种结构通过交替P型和N型柱状区域来打破传统硅器件的“硅极限”，从而在保持高击穿电压的同时大幅降低导通电阻。这一特性使其在1200V电压等级下仍具备出色的Rds(on)性能，显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了整个系统的转换效率。尤其是在轻载和中等负载条件下，该优势更为明显，非常适合用于追求高能效的应用场合。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。得益于低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），IRKH170/12在高频开关操作中表现出较低的开关损耗。这对于现代高频化电源拓扑如LLC谐振变换器、图腾柱PFC（功率因数校正）电路等尤为重要。高频操作不仅减小了磁性元件的体积，还有助于提高功率密度。此外，该器件具备较快的体二极管反向恢复速度（如果存在体二极管），有助于减少换流过程中的尖峰电压和振荡现象，从而提升系统可靠性并降低EMI滤波成本。
　　热性能方面，IRKH170/12采用TO-247封装，具有优良的热传导路径，能够有效将芯片产生的热量传递至散热器。其最大结温可达150°C，并且在高温下仍能保持稳定的电气性能，适合在高温工业环境中长期运行。同时，该器件具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能力，即使在突发故障或瞬态过压情况下也能维持一定的安全裕度，防止立即失效。这使得它在电动车辆车载充电机、工业逆变器等对安全性要求极高的领域中得到了广泛应用。
　　最后，该器件具备良好的制造一致性和长期供货保障，符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，可用于汽车相关应用。其引脚兼容性也便于替换同类产品，降低了设计变更的风险。总体而言，IRKH170/12是一款集高电压、低损耗、高可靠性和良好热管理于一体的高性能功率MOSFET，适用于下一代高效能电力转换系统。

IRKH170/12广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。首先，在太阳能光伏逆变器中，该器件常被用于DC-AC转换级或升压（Boost）PFC电路中，凭借其1200V耐压能力和低导通损耗，能够在高直流母线电压条件下实现高效能量转换，提升整体系统效率。其次，在工业电机驱动系统中，尤其是三相逆变器拓扑中，IRKH170/12可用于构建半桥或全桥结构，驱动感应电机或永磁同步电机，其快速开关特性和良好的热稳定性确保了驱动系统的动态响应和长期可靠性。
　　在不间断电源（UPS）系统中，特别是在在线式双变换UPS的逆变器部分，IRKH170/12能够胜任高频率PWM调制任务，提供干净稳定的交流输出。其低开关损耗有助于提升UPS的整体效率，延长电池续航时间，并减少冷却需求。此外，在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩的AC-DC或DC-DC转换模块，该器件都能发挥其高耐压和高效率的优势，支持更高功率等级的充电解决方案。
　　在高端开关电源（SMPS）设计中，特别是服务器电源、电信电源等对效率和功率密度有极高要求的应用中，IRKH170/12可用于图腾柱无桥PFC电路，替代传统的两电平或三电平拓扑中的普通MOSFET，显著降低输入电流总谐波失真（THD），并提高功率因数。此外，该器件还可用于感应加热、医疗电源、激光电源等特种电源设备中，满足高绝缘、高稳定性的需求。总之，IRKH170/12凭借其卓越的电气和热性能，已成为现代高功率密度、高能效电力转换系统中的关键组件之一。

IKW170/12