类型：功率MOSFET/IGBT模块
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大漏极电流（Id）：82A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.16Ω
　　封装形式：双列直插式（DIP）或模块封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　额定功率：1600W
　　短路耐受能力：有
　　热阻（Rth）：根据散热器配置不同而变化

SKD 82/16 模块采用先进的封装技术和高效的散热设计，具有优异的热管理和电气性能。其主要特性包括高耐压能力、低导通损耗、优异的短路保护能力以及良好的长期稳定性。模块内部集成了多个功率器件，能够提供高功率密度和紧凑的系统设计。此外，该模块适用于高频开关应用，能够有效提高系统效率并减少能量损耗。
　　SKD 82/16 还具备良好的抗热疲劳能力和高可靠性，适合在恶劣的工业环境中使用。其封装材料具有优异的绝缘性能和机械强度，能够有效防止电气击穿和机械损坏。此外，模块内部的热沉设计有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。
　　在驱动能力方面，SKD 82/16 支持较高的开关速度，适用于PWM控制和高频变换器设计。其低寄生电感结构有助于减少开关损耗，并提高系统的整体能效。同时，模块设计考虑了EMI（电磁干扰）控制，有助于降低系统的噪声水平和提高电磁兼容性。

SKD 82/16 常用于工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及高频开关电源等应用中。它也适用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统，如工业自动化控制、电机驱动和能量管理系统。

SKM 82GB128D, FZ82MR12KM1, FF82MR12KM1