型号：IRKH162-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　连续漏极电流（ID）：16A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.2V
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：870pF（@VDS=20V）
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-SCT500（SCT500）

IRKH162-04采用了英飞凌成熟的TrenchMOS技术，这种垂直沟道结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而实现更高的电流承载能力和更低的能量损耗。器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为9.5mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得它在大电流应用中表现出色，有效减少发热并提升系统效率。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg=13nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了控制器的负担并减少了动态损耗。同时，其输入电容（Ciss）为870pF，输出电容（Coss）约为400pF，这些参数优化了开关速度与EMI之间的平衡，适合用于高频率DC-DC变换器拓扑如同步整流、Buck/Boost转换器等。
　　IRKH162-04的栅源阈值电压范围为1.0V至2.2V，支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V数字信号控制，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计并降低成本。器件具备良好的热稳定性，其最大结温可达+150°C，并采用高效的散热封装设计，确保在持续高负载条件下仍能可靠运行。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性。其无铅、符合RoHS指令的设计也满足现代电子产品对环保的要求。SCT500封装尺寸小巧（约3.3mm x 3.3mm），便于在高密度PCB布局中使用，特别适合空间受限的应用场景。综合来看，IRKH162-04是一款兼具高性能、高可靠性和小型化优势的功率MOSFET，适用于各种对效率和体积有严格要求的电源系统。

IRKH162-04广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的各种电子系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为上下管使用，提供低导通损耗和快速响应能力，满足CPU、GPU等高性能处理器的供电需求。在笔记本电脑、平板电脑和超极本的电源管理系统中，该器件常用于电池充放电控制、负载开关及电源路径管理，因其低静态功耗和高效率特性有助于延长续航时间。
　　在服务器和通信设备的板级电源设计中，IRKH162-04被用于POL（Point-of-Load）转换器，将中间母线电压（如12V）高效转换为内核或I/O所需的低电压（如1.8V、1.2V等）。其高电流处理能力和良好的热性能使其在密集排列的电源架构中依然保持稳定工作。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动，利用其快速开关特性和低RDS(on)来减少功率损耗并提高响应速度。在LED照明驱动电源中，可用于恒流控制回路中的开关元件，实现高亮度LED的精准调光与节能运行。
　　其他应用场景还包括热插拔控制器、USB PD电源开关、便携式医疗设备、工业自动化控制系统以及各类消费类电子产品中的电源管理单元。由于其封装小型化且易于表面贴装，非常适合自动化生产流程，提升了制造效率和产品一致性。

IPD18N04S4L-04
　　BSC160N04LS G
　　PMV48ENEA,115