时间：2025/9/14 11:20:46
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TDZ4V3J,115 是由Nexperia（原恩智浦半导体的小信号部门）生产的一款双向电压抑制二极管（TVS，Transient Voltage Suppressor），主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压的损害。该器件采用SOD-523封装，具有低钳位电压、响应速度快和可靠性高等优点，适用于便携式电子设备、通信接口、USB端口和消费类电子产品等应用场景。
类型：双向TVS二极管
封装类型：SOD-523
最大反向工作电压（VRWM）：4.3V
击穿电压（VBR）：4.77V（最小值）～5.28V（最大值）
钳位电压（VC）：12.1V（最大值，测试电流为1.45A）
峰值脉冲电流（IPP）：1.45A（8/20μs波形）
功率耗散（PP）：300W（瞬时）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
TDZ4V3J,115 是一款高性能的双向TVS二极管，专为保护敏感电子元件免受高能量瞬态干扰而设计。其核心功能是通过在正常工作电压下保持高阻态，而在电压超过其击穿阈值时迅速导通，将多余的瞬态能量分流到地，从而保护后级电路不受损坏。该器件具有快速响应时间（通常在皮秒级别），能够在静电放电（ESD）事件发生时立即起作用，防止电压尖峰对系统造成损害。
该TVS二极管采用双向设计，使其适用于交流信号线路或双向数据线路（如USB、HDMI）的保护。其SOD-523小型封装使其非常适合空间受限的便携式设备应用，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，该器件具有较低的漏电流（通常在微安以下），在正常工作条件下对系统功耗影响极小。
从电气特性来看，该TVS的击穿电压范围为4.77V至5.28V，确保其在4.3V的工作电压下不会误触发，同时在高压瞬态情况下能够有效导通。其最大钳位电压为12.1V，这在保护低压CMOS器件时具有重要意义，可以防止电压过冲导致损坏。此外，该器件符合IEC 61000-4-2标准，适用于工业和消费类电子设备的ESD保护设计。
TDZ4V3J,115 主要用于需要ESD和瞬态电压保护的低压电子电路中。其典型应用包括USB接口、HDMI、音频线路、数据通信端口（如RS-232、CAN、LAN）、电池管理系统、手持设备、智能卡读卡器和工业控制系统的信号线路保护。由于其双向特性，特别适用于需要正负极性保护的差分信号线路，如以太网或CAN总线。此外，该器件也常用于汽车电子系统中，以防止静电放电和负载突降（Load Dump）对控制模块的影响。
PESD4V3J,115; SMBJ5.0CA; ESD5Z5V0U; TDZ4V3B; ESDA6V1W5B
