IRKH142-08 时间：2025/12/26 21:25:50 阅读：20

IRKH142-08是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能功率MOSFET器件，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻、优异的开关特性和良好的热性能，适用于多种工业、消费类及通信领域的电源系统。IRKH142-08属于OptiMOS?产品系列，这一系列产品针对40V至300V的工作电压范围进行了优化，在同步整流、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场景中表现出色。其封装形式为PG-HSOP-8，具有较小的占位面积和良好的散热能力，适合对空间要求较高的紧凑型设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。由于其出色的电气性能与封装集成度，IRKH142-08被广泛用于服务器电源、电信设备、笔记本适配器以及LED照明驱动电源中。
　　该器件的关键优势之一是其极低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，它还具备较强的抗雪崩能力和过温保护特性，提升了在异常工作状态下的鲁棒性。数据手册中通常会提供详细的热阻参数、安全工作区（SOA）曲线以及瞬态热阻抗信息，供工程师进行完整热设计评估。

参数

型号：IRKH142-08
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS?
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　连续漏极电流（Id）：60A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　功耗（Ptot）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：2.7 mΩ @ Vgs=10V, Id=30A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3 mΩ @ Vgs=4.5V, Id=30A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.1V ~ 3.0V
　　栅极电荷（Qg）：59 nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：3480 pF @ Vds=40V
　　反向恢复时间（trr）：24 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：PG-HSOP-8

特性

IRKH142-08采用英飞凌独有的OptiMOS?沟槽栅极工艺，这种先进制程显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，使其在高频开关电源应用中表现尤为出色。其超低的导通电阻（典型值仅为2.7mΩ）意味着在大电流传输过程中产生的I2R损耗极小，从而有效提升系统能效并降低散热需求。这对于追求高功率密度的设计至关重要，例如在数据中心电源或便携式电子设备中，高效的能量转换直接关系到整体系统的体积、重量和运行成本。此外，该器件的栅极电荷（Qg）仅为59nC，配合较低的米勒电容（Crss），大幅减少了驱动电路所需的能量，使得控制器可以使用更低驱动电流的IC，进一步简化外围电路设计。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性与长期可靠性。其最大结温可达150°C，且在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。通过优化芯片布局和封装结构，PG-HSOP-8封装实现了更低的热阻（Rth(j-mb)），有利于热量从晶粒快速传导至PCB，增强散热效果。这种设计特别适用于需要长时间满负荷运行的应用场景，如工业电机控制或不间断电源系统。另外，器件内部集成了强大的静电放电（ESD）保护机制，HBM模型下可承受高达±2kV的静电冲击，提高了生产装配过程中的良率和现场使用的安全性。
　　IRKH142-08还具备优异的安全工作区（SOA）表现，能够承受短时过载和瞬态电流冲击，避免因突发负载变化导致器件损坏。其抗雪崩能力经过严格测试，确保在感性负载切换或异常断电情况下不会发生永久性失效。这些特性使该器件不仅适用于常规开关电源拓扑（如Buck、Boost、半桥和全桥），还可用于同步整流、热插拔控制器、电池管理系统以及高侧/低侧驱动电路中。综合来看，IRKH142-08凭借其卓越的电气性能、紧凑的封装尺寸和高可靠性，成为现代高效能电源系统中的理想选择。

应用

IRKH142-08广泛应用于各类中高功率电源系统中，包括但不限于：服务器和通信设备中的DC-DC转换器、笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源、工业电机驱动器、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源以及各类高效率开关电源（SMPS）。其低导通电阻和快速开关特性特别适合用作同步整流管或主开关管，以提升整体转换效率。此外，也常用于热插拔电路、负载开关和电源分配模块中，实现对电流路径的精确控制与保护。