制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：PIN Limiting Diode
　　工作频率范围：DC 至 6 GHz
　　正向电流（连续）：50 mA
　　反向击穿电压：70 V
　　热时间常数：1.0 μs
　　电容（在指定偏压下）：0.35 pF @ 5 V, 1 MHz
　　串联电阻：1.2 Ω
　　功率处理能力（CW）：30 W（典型值）
　　封装类型：SOD-323
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　安装方式：表面贴装（SMT）

IRKE91/04的核心优势在于其卓越的高频限幅性能与快速响应机制，这使其能够在纳秒级时间内对突发的高能射频信号做出反应，确保后级电路不受损坏。其内部采用高质量的硅外延工艺构建PIN结构，I层（本征层）经过精确掺杂控制，实现了低载流子复合率与长少数载流子寿命，从而显著提升了器件在高重复频率脉冲环境下的耐受能力。这种设计不仅增强了限幅效果的一致性，还降低了非线性失真，避免了因二极管非理想行为导致的互调产物干扰问题。该器件在低信号电平时表现出极低的插入损耗（通常小于0.3 dB），保证了主通道信号的完整性；而在高功率输入条件下，能够迅速进入限幅状态，将输出电压限制在安全阈值以内，展现出优异的动态保护特性。
　　另一个关键特性是其良好的热管理能力。IRKE91/04采用了优化的芯片连接技术和导热性能优良的封装材料，使得即使在长时间承受较高平均功率的情况下也能有效散热，防止热积累引发的性能退化或永久性损伤。同时，该器件具备较强的抗静电能力（ESD耐压可达±2 kV HBM），进一步提高了系统在复杂电磁环境中的鲁棒性。其小尺寸SOD-323封装不仅节省空间，还便于集成到微波混合模块或多芯片组件（MCM）中，满足现代电子设备小型化、轻量化的发展趋势。此外，器件参数在整个宽温范围内保持高度一致性，适用于恶劣环境下的长期运行。所有这些特性共同决定了IRKE91/04在高端射频系统中作为前端保护元件的不可替代地位。

IRKE91/04主要应用于需要高可靠性和强抗干扰能力的射频与微波系统中。典型使用场景包括雷达接收机前端保护，特别是在多模式相控阵雷达和空中交通管制雷达中，用于防止大功率发射泄漏信号对接收链路造成损害。在无线通信基础设施方面，它被广泛部署于基站接收模块、卫星通信终端以及点对点微波链路设备中，用以提升系统的电磁兼容性（EMC）和生存能力。此外，在测试与测量仪器领域，例如频谱分析仪、矢量网络分析仪等高端设备的输入端口，IRKE91/04可有效防止用户误操作引入的过载信号损坏内部精密元件。
　　军用与航空航天系统也是其重要应用方向，例如电子战（EW）系统、战术通信电台和无人机数据链路中，IRKE91/04凭借其宽频带响应能力和极端环境适应性，成为保障设备持续作战能力的关键组件。在医疗成像设备如MRI射频接收单元中，该器件同样可用于抑制外部射频干扰，提高图像信噪比。除此之外，科研级低噪声接收系统、深空探测地面站以及高性能软件定义无线电（SDR）平台也普遍采用此类高性能限幅二极管来增强系统稳定性与安全性。总之，凡是在射频频段内存在潜在过载风险且要求最小信号劣化的场合，IRKE91/04均能提供高效可靠的解决方案。