IRKD92-10 时间：2025/12/26 21:16:13 阅读：8

IRKD92-10是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好平衡，适用于多种电源管理场景。IRKD92-10的封装形式为TO-220，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在工业、消费类电子及汽车电子等环境中使用。该MOSFET具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了其在瞬态电压冲击下的鲁棒性。此外，器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。其优化的栅极结构降低了开关损耗，提高了整体系统效率，是中高功率DC-DC转换器、电机驱动器以及电源开关电路中的理想选择。
　　该器件的工作温度范围宽广，通常可在-55°C至+175°C结温范围内稳定运行，使其能够适应严苛的环境条件。同时，IRKD92-10具备低输入电容和输出电容特性，有助于减少高频工作时的驱动功率需求和电磁干扰（EMI）。由于其优异的热阻特性和电流承载能力，即使在持续高负载条件下也能保持较低温升，从而延长系统寿命并提升安全性。

参数

型号：IRKD92-10
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：92 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：368 A
　　功耗（Pd）：250 W
　　导通电阻Rds(on)：10 mΩ @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：4500 pF
　　输出电荷（Qg）：180 nC
　　工作温度范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

IRKD92-10采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET技术，具备极低的导通电阻Rds(on)，典型值仅为10mΩ，在高电流应用中显著降低传导损耗，提高能效。其高电流承载能力——连续漏极电流可达92A，脉冲电流高达368A，使该器件非常适合用于大功率开关电源、电机控制和逆变器等需要高动态负载响应的场合。得益于优化的晶圆设计和封装工艺，该MOSFET在高温下仍能保持稳定的电气性能，确保系统在恶劣工况下的长期可靠性。
　　该器件具有出色的热性能，TO-220封装提供了较低的热阻（Rth(j-c)约0.5°C/W），有利于热量从芯片快速传导至散热器，防止局部过热导致失效。此外，IRKD92-10具备较强的雪崩耐量，能够承受一定程度的电感负载断开时产生的反向电压冲击，提升了系统的鲁棒性，减少了对外部保护元件的依赖。其栅极结构经过精心设计，输入电容（Ciss）为4500pF，总栅极电荷Qg为180nC，使得驱动电路设计更为简便，同时降低了驱动损耗，特别适用于高频开关应用如同步整流和DC-DC变换器。
　　IRKD92-10还具备良好的抗dv/dt能力和噪声抑制特性，减少了误触发的风险，提高了系统稳定性。器件符合工业级和汽车级可靠性标准，通过了AEC-Q101认证，可用于车载电源系统、电动工具和UPS不间断电源等关键应用场景。其无铅且符合RoHS指令的设计也满足现代绿色制造的要求。总体而言，IRKD92-10是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率与紧凑设计的中高功率电力电子系统。

应用

IRKD92-10广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源中作为主开关或同步整流器件使用。其低Rds(on)和高电流能力使其成为DC-DC降压或升压转换器的理想选择，尤其是在多相供电架构中，能够有效分担电流并降低温升。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机和BLDC（无刷直流电机）控制器中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，提供快速响应和高效能量传输。由于其具备良好的热稳定性和过载能力，也常用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中。
　　此外，IRKD92-10适用于逆变器系统，如太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电动汽车车载充电模块，承担直流到交流的能量转换任务。其高雪崩耐量和抗瞬态能力有助于应对电网波动或负载突变带来的应力。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可作为充放电控制开关，确保电池组的安全运行。
　　由于通过AEC-Q101认证，该器件也可用于汽车电子应用，例如车载DC-DC转换器、辅助加热系统和灯光控制模块。其坚固的封装和宽工作温度范围使其能在高温引擎舱环境下稳定工作。总的来说，IRKD92-10凭借其卓越的电气与热性能，适用于几乎所有需要高效、可靠功率开关的中高端应用场景。