时间：2025/12/26 21:03:24
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IRKD91-10是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好的平衡，适用于多种电源管理场景。IRKD91-10具有优化的热性能和可靠的封装结构，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其主要优势在于高电流处理能力、低栅极电荷以及出色的dv/dt抗扰度，使其成为电机驱动、DC-DC转换器、逆变器和其他高密度电源系统中的理想选择。
该器件通常采用TO-220或类似的通孔封装形式，便于散热并适合工业级应用。其引脚配置符合标准三引脚结构（源极、漏极、栅极），兼容常见的驱动电路设计。IRKD91-10的设计注重可靠性和耐用性，具备优良的雪崩能量耐受能力和短路保护特性，能够有效应对瞬态过压和过流情况。此外，它还符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，确保在各种应用场景下的合规性和安全性。
型号：IRKD91-10
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大漏极电流（Id）：91 A
导通电阻（Rds(on)）：10 mΩ @ Vgs=10V, Id=45A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
功耗（Pd）：250 W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
输入电容（Ciss）：约 4000 pF @ Vds=50V
开关时间（开启时间）：约 30 ns
开关时间（关闭时间）：约 60 ns
封装类型：TO-220AB
IRKD91-10的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为10 mΩ，在高电流条件下显著降低了导通损耗，从而提升了整体系统效率。这一特性特别适用于大功率DC-DC转换器和同步整流拓扑中，有助于减少发热并提高能效。此外，低Rds(on)也意味着可以在较小的散热器甚至无外加散热器的情况下运行，有利于缩小整体电源模块的体积。
其次，该器件采用了先进的沟槽式场效应晶体管技术，使得单位面积内的载流子迁移率更高，进一步增强了电流承载能力和开关响应速度。其典型的输入电容约为4000 pF，在高频开关应用中表现出良好的动态响应性能，同时配合较低的栅极电荷（Qg典型值约100 nC），可降低驱动损耗，使控制器更容易驱动，尤其适合与PWM控制器或专用栅极驱动IC配合使用。
热稳定性方面，IRKD91-10具备高达250W的功率耗散能力（在理想散热条件下），并且拥有宽广的工作结温范围（-55°C至+175°C），可在极端温度环境中稳定工作，适用于工业控制、汽车电子及户外设备等严苛环境。器件内部还集成了体二极管，具有一定的反向恢复能力，适用于桥式电路中的续流路径。
可靠性方面，该MOSFET经过严格测试，具备较强的雪崩击穿耐受能力，能够在突发过压事件中维持功能完整性。同时，其对dv/dt噪声具有良好的抗干扰能力，避免因电压突变引起的误触发问题，提高了系统的鲁棒性。综合来看，IRKD91-10凭借其高性能参数和稳健的设计，广泛应用于需要高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案中。
IRKD91-10广泛应用于各类高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括但不限于：直流电机驱动器，用于工业自动化设备、电动工具和机器人控制系统中，利用其低导通电阻和高电流能力实现精确的速度和扭矩控制；在H桥或半桥拓扑结构中，多个IRKD91-10可构成全桥驱动电路，支持双向电机运转。
在开关模式电源（SMPS）领域，该器件常用于同步整流型降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）转换器中，特别是在服务器电源、通信电源和LED驱动电源中表现优异。由于其快速的开关特性和低栅极驱动需求，有助于提升电源的整体转换效率，满足能源之星或80 PLUS等能效标准要求。
此外，IRKD91-10也被广泛用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统（BMS）中，作为主开关元件或旁路开关使用。在这些应用中，器件必须承受频繁的开关应力和可能的瞬态过载，而IRKD91-10的高雪崩能量耐受能力和热稳定性正好满足这些需求。
在电动汽车充电设备、车载DC-DC变换器以及工业加热控制系统中，该MOSFET同样展现出卓越的性能。其TO-220封装便于安装散热片，适合需要手动焊接或维护的场景，因此在原型开发和中小批量生产中也受到欢迎。
IKD91N10L
SPD91N10L-03
STP91N10
