容量：2Gb（256MB）
　　组织结构：x16
　　电压：1.1V / 1.8V
　　接口类型：LPDDR4X
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：130-ball
　　时钟频率：最高可达2133MHz
　　数据速率：4266Mbps
　　内部存储库：8 banks
　　预取架构：2n-prefetch
　　刷新周期：64ms

H5TC(Q)2G63FFR 采用了先进的LPDDR4X技术，具备出色的性能和能效。它支持双电压供电（1.1V 和 1.8V），其中1.1V用于核心电源，1.8V用于I/O电源，这种设计有助于降低功耗并提高信号完整性。该芯片的数据传输速率可达4266Mbps，显著提升了数据吞吐能力，适用于高带宽需求的应用场景。
　　此外，H5TC(Q)2G63FFR 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），可在设备待机或低功耗状态下大幅降低能耗。其8个存储库（Banks）设计支持并发操作，提高了内存访问效率。预取架构采用2n-prefetch机制，进一步优化了数据访问速度。
　　该芯片还具备出色的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的电子设备。封装方面，H5TC(Q)2G63FFR 采用130-ball FBGA封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，特别适合移动设备和便携式电子产品。

H5TC(Q)2G63FFR 主要应用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它也适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品，如智能电视、机顶盒等。由于其低功耗特性和高性能数据传输能力，该芯片非常适合用于图形处理、视频播放、多任务处理等需要大量内存资源的应用场景。此外，H5TC(Q)2G63FFR 还可作为缓存存储器使用，提升系统整体运行效率。

H5TC2G63FFR-PB