型号：IRKD91-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：20 A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：典型值7.8 mΩ（在VGS=10 V时），最大值9.1 mΩ（在VGS=10 V, ID=10 A时）
　　阈值电压（Vth）：典型值1.6 V，范围1.2 ~ 2.3 V
　　输入电容（Ciss）：典型值1220 pF（在VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz时）
　　输出电容（Coss）：典型值390 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值18 ns
　　二极管正向电压（VSD）：典型值1.1 V（在IS=20 A时）
　　功耗（PD）：最大值46 W（在TC=25°C时）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：PG-HSOF-8（裸焊盘表贴封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
　　通道数：单通道

IRKD91-04采用英飞凌先进的沟槽栅硅技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，显著降低了传导损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的关键优势之一是其超低RDS(on)，在VGS=10V条件下最大仅为9.1mΩ，这意味着在大电流应用中能够有效减少发热，提升能效。同时，其高达20A的连续漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为27nC（在VGS=10V, ID=20A时），这有助于降低驱动电路的功耗并加快开关速度，适用于高频开关拓扑如同步降压转换器或半桥电路。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于其PG-HSOF-8封装中的裸露焊盘设计，可实现高效的散热路径，将热量迅速传导至PCB，从而延长器件寿命并增强长期运行稳定性。此外，器件具有良好的线性模式性能，适合用于负载开关和热插拔应用，在此类场景下需要承受较大的瞬态电压和电流应力。IRKD91-04还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在突发短路或电感负载断开等异常工况下提供更高的鲁棒性。
　　另一个重要特性是其兼容标准逻辑电平驱动的能力。虽然最佳性能在VGS=10V时实现，但该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V~5V）下也能保持相对较低的RDS(on)，因此可与常见的PWM控制器直接接口而无需额外的电平转换电路。此外，其寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr≈18ns），减少了体二极管反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题，进一步提升了系统EMI表现。综合来看，IRKD91-04是一款集高性能、高可靠性与易用性于一体的现代功率MOSFET解决方案。

IRKD91-04广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）架构中作为下管或上管使用，服务于CPU、GPU或ASIC供电需求；在这些应用中，其低RDS(on)和快速响应特性有助于提高转换效率并降低温升。该器件也常用于隔离式电源的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管以减少导通损耗，提升整体能效，特别是在LLC谐振转换器和反激式电源中表现出色。
　　在工业控制领域，IRKD91-04可用于电机驱动电路中的H桥拓扑，驱动小型直流电机或步进电机，其高电流承载能力和快速开关特性确保了精确的速度与方向控制。此外，它还可作为电子负载开关，用于管理多个电源域的上电时序或实现电池备份系统的自动切换，其低静态功耗和软启动兼容性使其非常适合这类应用。
　　在通信基础设施方面，该器件被用于基站电源模块、光模块供电单元以及PoE（Power over Ethernet）受电设备中，满足高效率、小体积的设计要求。车载电子系统中，IRKD91-04可用于车身控制模块、车载充电器或辅助电源单元，凭借其AEC-Q101认证和宽温度工作范围，可在-40°C至+150°C的恶劣环境中可靠运行。此外，便携式医疗设备、笔记本电脑适配器、USB-PD电源等消费类电子产品也越来越多地采用此类高性能MOSFET以实现轻薄化与节能化设计。

IRLHS91-04PbF
　　BSC098N03LSG
　　IPD91N03S G