IRKD71-16 时间：2025/12/26 19:18:37 阅读：13

IRKD71-16是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率和高频率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和薄晶圆技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能。IRKD71-16适用于多种电源管理场景，尤其是在需要紧凑封装和高效能表现的应用中表现出色。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、电机驱动、电源开关以及各种消费类和工业类电子设备中。其封装形式为TO-220AB，是一种常见的通孔安装封装，具备良好的热传导能力和机械稳定性，适合在较高功率条件下运行。
　　IRKD71-16的关键优势在于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），这有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。此外，该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作，增强了系统的可靠性。器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

型号：IRKD71-16
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：160V
　　连续漏极电流Id：31A
　　脉冲漏极电流Idm：124A
　　导通电阻Rds(on)：71mΩ @ Vgs=10V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　功耗Pd：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：TO-220AB

特性

IRKD71-16具备出色的电气性能与热稳定性，其核心特性之一是低导通电阻Rds(on)，典型值仅为71mΩ，在Vgs=10V的工作条件下能够显著降低导通损耗，提升电源系统的转换效率。这一特性尤其适用于大电流输出的DC-DC变换器和同步整流电路中，可有效减少发热并简化散热设计。同时，该器件采用了优化的沟槽结构设计，使得单位面积下的电流密度更高，进一步提升了功率处理能力。
　　另一个关键特性是其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关操作中所需的驱动功率更小，从而降低了驱动电路的设计复杂度，并减少了开关过程中的能量损耗。这对于高频PWM控制应用如开关电源（SMPS）、LED驱动电源和电机控制器尤为重要。此外，IRKD71-16具有较低的输出电容（Coss），有助于减小关断时的能量损耗，提升整体能效。
　　该MOSFET还具备良好的热性能，其最大功耗可达200W，结温范围宽达-55°C至+175°C，能够在恶劣环境温度下稳定运行。TO-220AB封装提供了优良的散热路径，可通过外接散热片将热量快速传导出去，确保长时间高负载工作的可靠性。器件还经过了严格的雪崩测试，具备一定的抗雪崩击穿能力，可在突发过压或感性负载切换时提供额外保护，防止因电压尖峰导致的永久性损坏。
　　此外，IRKD71-16符合工业级质量标准，具备高可靠性和长寿命特点，适用于工业自动化、电源适配器、UPS不间断电源等多种应用场景。其引脚兼容性强，便于替换同类产品，且支持自动插入生产线，适用于大规模自动化生产。整体而言，IRKD71-16是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的现代电力电子系统。