IRKD61-18 时间：2025/12/26 20:41:26 阅读：8

IRKD61-18是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能硅基PIN二极管，专为高功率射频（RF）应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的开关特性、低正向压降和高反向击穿电压，适用于在高频环境下进行信号控制和功率处理。IRKD61-18属于High Voltage Silicon PIN Diode系列，广泛用于通信系统、雷达设备、工业加热系统以及医疗射频设备中。其结构设计优化了热性能和载流子寿命，确保在高功率密度下仍能保持稳定的工作状态。该器件封装在小型化的SOD-323（SC-76）表面贴装封装中，便于在紧凑型射频电路板上实现高密度布局。此外，IRKD61-18符合RoHS环保标准，具备良好的可靠性和长期稳定性，适合在严苛环境条件下运行。通过精确控制掺杂浓度和结区宽度，该PIN二极管实现了快速的开关响应时间和较低的传输损耗，是现代射频开关、衰减器和调制电路中的关键元件之一。

参数

类型：PIN二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：180V
　　最大直流阻断电压（VRWM）：180V
　　平均整流电流（IF(AV)）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值1.1V @ 10mA
　　反向恢复时间（trr）：典型值50ns
　　结电容（Cj）：典型值0.4pF @ 1MHz, 1V
　　热阻（RthJ-Amb）：约450K/W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323 (SC-76)

特性

IRKD61-18的核心优势在于其卓越的高频性能与高电压耐受能力的结合。作为一款PIN结构二极管，它在P型和N型半导体之间插入了一层本征（I）区域，这一宽I层显著提高了器件的反向击穿电压，同时降低了结电容，从而减少了高频信号通过时的寄生效应。这种结构使得IRKD61-18在GHz级别的射频应用中表现出色，尤其是在需要低插入损耗和高隔离度的射频开关电路中。
　　该器件的正向压降较低，在10mA电流下典型值仅为1.1V，这有助于减少导通状态下的功耗，提高系统效率。同时，其反向恢复时间短（约50ns），意味着在高速开关操作中能够迅速完成载流子清除过程，避免产生过多的反向恢复电流，从而降低电磁干扰并提升整体开关精度。对于脉冲射频系统或需要快速切换天线通道的应用场景，这一特性至关重要。
　　IRKD61-18的结电容非常小，典型值为0.4pF（在1MHz、1V偏置条件下测量），这使其在高频下呈现出接近理想的电抗特性，有效减少了信号失真和相位偏移。此外，其最大反向电压可达180V，能够在高压瞬态或浪涌条件下提供可靠的保护功能，增强了系统的鲁棒性。
　　由于采用了SOD-323小型表面贴装封装，IRKD61-18不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，适合自动化贴片生产流程。其工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业与军事级应用需求，可在极端温度环境中稳定运行。整体而言，IRKD61-18是一款兼顾高频响应、高电压能力和高可靠性的PIN二极管，特别适合用于构建高性能射频前端模块。

应用

IRKD61-18主要应用于各类高频率、高可靠性要求的射频电子系统中。典型用途包括射频开关，特别是在多频段通信设备如基站、无线接入点和卫星通信终端中，用于选择不同的天线路径或滤波器通道。其低结电容和快速开关特性确保了在GHz频段内实现最小的信号衰减和串扰。
　　此外，该器件也常用于可变衰减器电路，利用其在不同偏置电流下的阻抗变化来调节射频信号强度。在雷达系统中，IRKD61-18可用于收发（T/R）模块中的保护电路，防止高功率发射信号损坏敏感的接收前端组件。其180V的高击穿电压使其能够承受瞬间高压冲击，提供有效的过压保护。
　　在工业射频加热、等离子体生成设备以及医疗射频治疗仪器中，IRKD61-18也被用作功率控制元件，参与高频能量的调制与分配。由于这些应用场景通常对元器件的长期稳定性和温度适应性有极高要求，IRKD61-18宽广的工作温度范围和坚固的硅基结构成为理想选择。
　　另外，由于其符合RoHS标准且采用无铅封装，IRKD61-18适用于消费类高端无线设备及工业物联网（IIoT）网关中的射频前端设计。在测试与测量仪器中，如矢量网络分析仪或频谱仪，该二极管可用于内部校准路径切换，保证测量精度。总之，IRKD61-18凭借其优异的电气性能和环境适应能力，已成为现代射频工程中不可或缺的关键元件之一。