2SK2168 时间：2025/8/2 6:21:05 阅读：25

2SK2168 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于高频开关应用和功率放大电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电器等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.36Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK2168 MOSFET具备多项优异特性，使其在电源管理和高频开关电路中表现出色。
　　首先，其N沟道结构和增强型设计提供了良好的导通特性和高效率。最大漏极电流为10A，漏-源电压为60V，使得该器件能够承受较高的功率负载，适用于多种中功率应用。
　　其次，2SK2168的导通电阻较低，典型值为0.36Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的开关速度，支持高频操作，适用于DC-DC转换器、同步整流器等高频电路。
　　其TO-220封装形式具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定工作温度。同时，最大栅-源电压为±20V，提供了较大的栅极驱动范围，增强了器件的控制灵活性。
　　在可靠性方面，2SK2168的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适合在各种环境条件下使用。其功率耗散为50W，表明其具备较强的热管理能力，能够在较高温度环境下稳定运行。

应用

2SK2168 MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中。例如，在电源管理电路中，它可用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电器，提供高效的能量转换和稳定的输出电压。
　　在电机控制和驱动电路中，2SK2168可用于H桥驱动、PWM控制等应用场景，实现对电机转速和方向的精确控制。
　　此外，它也适用于音频放大器、功率放大器等模拟电路中，作为高效功率开关或输出级元件。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，2SK2168还可用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中，提供稳定的功率控制和高效的能量管理。