时间：2025/8/5 21:53:14
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TP3N50D2是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。该器件采用高性能的U-MOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在中高功率应用场景中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：3A
导通电阻（Rds(on)）：≤2.7Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
TP3N50D2 MOSFET采用了东芝先进的U-MOS技术，提供了非常低的导通电阻，在3A额定电流下具有优异的导通损耗表现。该器件的500V高漏源击穿电压使其适用于多种高压应用环境，如工业电源、照明系统和电机驱动电路。
此外，TP3N50D2具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定运行，减少了对额外散热措施的依赖。其±30V的栅极耐压能力也提高了器件在复杂电磁环境下的可靠性和抗干扰能力。
在封装方面，TP3N50D2采用标准的TO-220封装，便于安装和散热设计，适用于通孔插装（Through-Hole）工艺，广泛用于原型设计和批量生产中。
TP3N50D2主要应用于各种中高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关控制、LED照明驱动以及小型电机控制电路。此外，它还可用于逆变器、UPS系统和工业自动化设备中的功率开关环节，提供高效、可靠的电能控制方案。
2SK3568, 2SK2545, FQP3N50C
