类型：高边/低边栅极驱动器
　　最大耐压（VBS）：600 V
　　输出电流峰值：最高2.5 A（拉电流）/ 2.5 A（灌电流）
　　输入逻辑兼容性：CMOS/TTL 兼容
　　工作电源电压（VDD）：10 V 至 20 V
　　偏置电源电压（VB, VS）：-5 V 至 5 V（工作时）
　　自举二极管集成：否（需外接快恢复或肖特基二极管）
　　传播延迟：典型值约75 ns
　　上升时间（tr）：典型值40 ns（1000 pF负载）
　　下降时间（tf）：典型值30 ns（1000 pF负载）
　　静态电流：典型值250 μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-16 (Wide Body)
　　隔离电压（Package）：>3500 Vrms（典型）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs（典型）

IRKD600-16的核心特性之一是其采用的高压电平移位技术，允许输入端的低压控制信号（如来自微控制器的PWM信号）被准确传递至浮动的高边驱动输出端。这种电平转换通过内部专用电路实现，即使在母线电压剧烈波动的情况下仍能保持信号完整性。该芯片具备优异的共模瞬态抗扰度（CMTI），超过100kV/μs，意味着其在高噪声环境下仍能稳定运行，有效抑制因功率开关动作引起的电压突变对驱动信号的干扰，避免误触发导致桥臂直通。
　　另一个关键特性是其集成的欠压锁定（UVLO）功能，分别针对高端和低端电源进行监控。一旦VCC或VB电压低于设定阈值，输出将强制关断，直到电源恢复到正常水平才重新启用输出，从而保护功率器件免受弱驱动或部分导通带来的热应力损伤。此外，IRKD600-16具有较短且匹配良好的传播延迟时间，有助于提高系统的开关精度和效率，尤其在高频PWM调制场合中表现突出。
　　该器件还提供独立的高端和低端输出通道，允许灵活配置于半桥、全桥或同步整流拓扑中。其输出级采用图腾柱结构，具备较强的驱动能力，可快速充放电MOSFET栅极电容，减少开关损耗。同时，芯片内部设计有交叉导通保护机制，防止上下管同时导通。SOIC-16宽体封装不仅提供了良好的电气隔离性能（>3500Vrms），也便于手工焊接与自动化生产，适合多种应用场景。整体而言，IRKD600-16以其高可靠性、强抗干扰能力和紧凑设计，在中小功率电力电子系统中占据重要地位。

IRKD600-16广泛应用于需要高效、可靠驱动功率开关器件的各种电力电子系统中。常见用途包括家用电器中的变频空调和洗衣机电机驱动模块，这些设备通常采用PFC升压电路或三相逆变器结构，其中高边MOSFET需要稳定的栅极驱动以确保精确的PWM控制。在工业领域，该芯片可用于小型伺服驱动器、步进电机控制器以及通用逆变电源中，特别是在48V至400V直流母线电压范围内表现出色。
　　在照明系统方面，IRKD600-16可用于电子镇流器或LED驱动电源中的LLC谐振变换器或半桥拓扑结构，驱动高频工作的MOSFET，提升系统能效并降低电磁干扰。此外，在消费类开关电源（如适配器、充电器）中，该芯片常用于有源钳位反激（ACF）或双管正激拓扑中，驱动高边开关管，实现高功率密度设计。
　　新能源相关的小型光伏逆变器或储能系统中的DC-DC转换模块也是其典型应用场景之一。由于IRKD600-16具备良好的温度适应性和长期运行稳定性，因此非常适合部署在环境条件较为严苛的户外或封闭空间内。同时，其TTL/CMOS兼容输入接口简化了与数字控制器（如DSP、MCU或专用PWM发生器）之间的连接，降低了系统设计复杂度。总体来看，只要涉及600V以内半桥结构的功率开关驱动需求，IRKD600-16都是一个成熟且值得信赖的选择。

IRS2186(S)PbF
　　IRS2110STR
　　IR2110S