IRKD196/06 时间：2025/12/26 19:29:53 阅读：16

IRKD196/06是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高性能的电源管理应用设计。该器件采用先进的TrenchStop? 5技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优化的开关特性，能够在高频开关条件下实现更低的导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。IRKD196/06通常用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电系统等对能效和可靠性要求较高的领域。
　　该MOSFET封装在PG-HSOF-5-1（表面贴装型）封装中，具有良好的热性能和电气隔离能力，适合自动化生产和紧凑型设计。其额定电压为650V，能够承受较高的母线电压波动，适用于通用直流链路开关操作。此外，器件内部结构经过优化，具备出色的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。英飞凌为其提供了完整的应用支持文档，包括SPICE模型、参考设计和热仿真数据，便于工程师快速完成系统集成与调试。

参数

型号：IRKD196/06
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：17 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：51 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS=10V：60 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) typ @ VGS=10V：53 mΩ
　　栅极电荷（Qg）：42 nC
　　输入电容（Ciss）：1800 pF
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PG-HSOF-5-1
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　阈值电压（Vth）：3.0 V（典型值）
　　功耗（Ptot）：70 W
　　上升时间（tr）：36 ns
　　下降时间（tf）：20 ns

特性

IRKD196/06采用了英飞凌领先的TrenchStop? 5技术，这项技术通过优化沟槽栅结构和超结原理，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻和寄生电容，实现了卓越的开关性能。该器件在650V等级中表现出极低的RDS(on)，典型值仅为53mΩ，最大不超过60mΩ，这使得在大电流应用中能够有效减少I2R损耗，提高系统效率并降低散热需求。同时，其栅极电荷（Qg）仅为42nC，意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于使用更低成本的栅极驱动器，并进一步降低动态损耗。
　　该MOSFET具备优异的开关速度，上升时间为36ns，下降时间为20ns，配合较短的反向恢复时间（trr=28ns），可在高频PWM控制下实现快速切换，适用于硬开关和部分软开关拓扑如LLC、Flyback和Interleaved PFC等。器件还集成了良好的体二极管性能，能够支持非对称桥式电路中的续流功能，且在反向恢复过程中产生的电压尖峰较小，降低了EMI风险。
　　IRKD196/06的PG-HSOF-5-1封装采用裸焊盘设计，有利于将热量高效传导至PCB，提升散热效率。该封装符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。此外，器件具有宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），确保在极端温度环境下仍能稳定运行，增强了系统的环境适应性。内置的静电放电（ESD）保护和强大的抗雪崩能力也使其在负载突变或异常工况下具备更高的可靠性。

应用

IRKD196/06广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于有源功率因数校正（PFC）级，尤其是在连续导通模式（CCM）PFC电路中作为主开关器件，利用其低导通损耗和高效率特性来满足能源之星等能效标准。在太阳能微型逆变器和组串式逆变器中，该MOSFET可用于DC/DC升压阶段或辅助电源模块，帮助实现更高的能量转换效率。
　　在电机驱动方面，IRKD196/06适用于中小型交流驱动器和伺服系统中的半桥或全桥配置，尤其适合需要高频调制以减小滤波器体积的应用场景。其快速开关能力和良好热性能使其能够在紧凑空间内实现高效控制。
　　此外，该器件也被用于电信整流器、服务器电源和UPS系统中，作为主开关或同步整流器使用。在电动汽车车载充电机（OBC）中，IRKD196/06可用于一次侧开关，配合变压器实现高效的AC-DC转换。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产线，提高了生产效率和产品一致性。