时间：2025/9/7 6:36:18
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HZK20TR 是一款常用的双极性晶体管（BJT）阵列集成电路，由多个晶体管组成，适用于多种电子电路设计。这款器件广泛应用于信号处理、放大、开关以及逻辑电路设计等领域。
类型：双极性晶体管阵列
晶体管数量：5个
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（Vce）：30V
集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：16引脚 DIP 或 SOIC
HZK20TR 提供了多个 NPN 晶体管在一个封装中，便于简化电路设计并减少 PCB 的占用空间。
该器件的晶体管具有高稳定性和低噪声特性，适合用于信号放大和开关控制。
每个晶体管的集电极-发射极电压最大为 30V，集电极电流最大为 100mA，适用于中低功率应用。
采用标准 DIP 或 SOIC 封装，方便在多种电路板上安装和使用。
其工作温度范围宽广，可在 -55°C 至 +150°C 之间正常工作，适应各种环境条件。
HZK20TR 常用于信号放大电路，例如音频前置放大器或传感器信号调理电路。
在数字电路中，该器件可用作逻辑门或缓冲器，提高电路的稳定性和响应速度。
由于其多个晶体管集成在一个芯片上，HZK20TR 也广泛用于开关电路设计，例如继电器驱动或 LED 控制。
此外，该器件还可用于模拟和数字混合电路中的信号转换和隔离。
ULN2003A, HZK10TR, HZK30TR
