型号：IRKD101-16
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@ TC=25°C：7.7 A
　　连续漏极电流（ID）@ TC=100°C：5.2 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：30.8 A
　　功耗（PD）：125 W
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：1.1 Ω
　　阈值电压（Vth）典型值：4.0 V
　　输入电容（Ciss）@ 25°C, VDS=25V：1200 pF
　　输出电容（Coss）：130 pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或极快恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

IRKD101-16采用了Infineon先进的TrenchStop?技术和超结（Superjunction）结构设计，使其在高电压应用中实现卓越的开关性能和导通效率。该MOSFET的核心优势在于其在1000V耐压等级下仍能保持相对较低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体能效。其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）特性有效减少了驱动电路的能量消耗，并支持更高的开关频率操作，适用于高频SMPS和LLC谐振转换器等拓扑结构。
　　TrenchStop?技术不仅提升了器件的电流密度，还优化了电场分布，增强了器件在高压应力下的稳定性和耐用性。该技术结合精确控制的掺杂工艺和深沟槽刻蚀技术，实现了更均匀的载流子分布，抑制了局部热点形成，延长了器件寿命。此外，IRKD101-16具备出色的抗雪崩能力（Unclamped Inductive Switching, UIS），能够在突发断路或感性负载切换时承受瞬时高能量冲击而不发生永久损坏，这对于工业环境中的电机控制和电源保护至关重要。
　　该器件的体二极管具有快速恢复特性，反向恢复时间短且反向恢复电荷小，减少了开关过程中的交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。这对于桥式拓扑中的死区管理尤为重要。同时，TO-220封装提供了优良的散热路径，便于安装散热片以应对持续高功率工作条件。器件符合工业级温度要求（-55°C至+150°C），可在极端环境温度下稳定运行。其隔离型封装版本还可提供增强的电气隔离性能，满足安全认证要求，适用于医疗设备、可再生能源系统等对安全性要求较高的领域。

IRKD101-16广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。其主要应用场景包括工业用开关模式电源（SMPS），特别是在单端反激（Flyback）、正激（Forward）和LLC半桥谐振转换器中作为主开关器件使用。由于其1000V的高击穿电压和良好的动态性能，该MOSFET非常适合用于离线式电源设计，尤其是在输入电压波动较大的地区，能够确保系统在峰值交流电压下仍保持安全裕量。
　　在可再生能源领域，IRKD101-16常用于太阳能光伏逆变器的DC-AC转换阶段，承担直流侧斩波或初级侧开关功能。其高耐压能力和低损耗特性有助于提升逆变器的整体转换效率，并降低系统冷却成本。此外，在不间断电源（UPS）系统中，该器件可用于DC-DC升压或逆变桥臂，提供稳定可靠的能量转换路径。
　　该MOSFET也适用于电机驱动应用，如通用变频器、伺服驱动器和电动工具电源模块。在这些应用中，它能够承受频繁启停带来的电流冲击，并维持高效的能量传输。其他应用还包括电焊机电源、激光电源、高压LED驱动、电信整流器以及高功率适配器等。凭借其高可靠性和宽泛的工作温度范围，IRKD101-16亦可用于户外设备和工业自动化控制系统中，适应复杂电磁环境和恶劣气候条件。

IKD10S60