IRGR4607D 时间：2025/12/26 21:17:00 阅读：15

IRGR4607D是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和薄晶圆技术制造，能够在低电压和中等电流条件下实现极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。IRGR4607D工作于+12V逻辑电平兼容的栅极驱动电压，适用于负载开关、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电系统等场合。其封装形式为PG-TSDSON-8（也称SuperSO-8），具有较小的占位面积和良好的热性能，适合空间受限的高密度PCB布局。这款MOSFET在工业、消费类电子和便携式设备中广泛应用，提供可靠且高效的功率管理解决方案。

参数

型号：IRGR4607D
　　制造商：Infineon Technologies
　　类别：功率MOSFET
　　类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：19A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.5mΩ @ VGS = 10V；8.5mΩ @ VGS = 4.5V
　　栅极电荷（Qg）：14nC @ VGS = 10V
　　输入电容（Ciss）：590pF @ VDS = 15V
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：17ns
　　上升时间（tr）：7ns
　　下降时间（tf）：6ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：PG-TSDSON-8 (SuperSO-8)

特性

IRGR4607D采用英飞凌先进的TrenchStop?沟槽栅极技术和薄晶圆工艺，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体系统效率。其超低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为6.5mΩ，在大电流输出场景下能有效减少I2R损耗，降低温升，提高能源利用率。该器件具备快速开关能力，栅极电荷Qg低至14nC，使得在高频开关应用如同步整流DC-DC变换器中表现出色，有助于减小外部滤波元件尺寸并提升功率密度。
　　该MOSFET的栅极阈值电压典型值约为1.5V，确保了与标准CMOS和LSTTL逻辑电平的良好兼容性，支持直接由微控制器或PWM控制器驱动。其动态性能经过优化，在高速切换过程中展现出较低的米勒效应和寄生电感影响，有助于抑制电压过冲和振荡，提升系统稳定性。此外，器件内部结构设计增强了雪崩能量承受能力，提高了在异常工况下的鲁棒性。
　　PG-TSDSON-8封装不仅节省PCB空间，还通过底部裸露焊盘实现高效散热，可将热量迅速传导至PCB地层，满足紧凑型电子产品对热管理的需求。该封装符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺。IRGR4607D经过严格的质量认证，具备高可靠性，适用于车载信息娱乐系统、工业自动化电源模块、LED驱动电源及便携式储能设备等多种严苛环境下的应用场景。

应用

IRGR4607D广泛应用于需要高效、小尺寸功率开关的场合，包括但不限于：同步整流降压型DC-DC转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电动工具电源模块、笔记本电脑和移动设备的电源管理单元、LED背光驱动电路、电机驱动H桥低端开关以及各类工业控制板卡中的功率切换节点。其优异的热性能和电气特性也使其适用于车载辅助电源系统和分布式电源架构中的中间总线转换器。