IRGPC50KD2 时间：2025/12/26 20:37:17 阅读：9

IRGPC50KD2是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关电源应用设计。该器件采用先进的沟槽栅和场截止技术，具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的雪崩能量耐受能力，适用于多种高频开关场景。IRGPC50KD2广泛用于AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动、照明镇流器以及消费类电源设备中。其封装形式为TO-220，具有良好的热稳定性和机械可靠性，便于在紧凑型电源设计中进行散热管理。该MOSFET的工作电压等级为650V，适合于离线式电源系统中的主开关或同步整流应用。器件符合RoHS环保标准，并具备高抗噪能力和坚固的栅极氧化层，能够在恶劣电气环境下稳定运行。此外，IRGPC50KD2还优化了体二极管的反向恢复特性，减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提升了整体系统效率与可靠性。
　　由于其出色的动态性能和热性能，IRGPC50KD2在待机功耗要求严格、满载效率需达到能源之星或类似能效标准的应用中表现出色。该器件特别适用于谐振变换器拓扑如LLC半桥或全桥电路，在这些结构中，软开关机制可进一步降低损耗并提升能效。同时，它也常用于PFC（功率因数校正）升压级的开关元件选择中，以实现高功率因数和低总谐波失真（THD）。
　　总体而言，IRGPC50KD2是一款兼顾高性能与可靠性的高压MOSFET，面向中等功率范围（通常在100W至500W之间）的电力电子设计，是现代绿色能源产品中关键的功率半导体组件之一。

参数

型号：IRGPC50KD2
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：4.8A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻Rds(on)：1.2Ω（典型值，@Vgs=10V）
　　输入电容（Ciss）：900pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：280pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：75ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装形式：TO-220
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45ns
　　上升时间（tr）：30ns
　　下降时间（tf）：25ns

特性

IRGPC50KD2具备多项先进特性，使其在高压功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其采用的沟槽栅技术和场截止（Field-Stop）结构显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。这种设计不仅增强了器件的电流处理能力，还改善了热分布均匀性，有助于延长器件寿命并提升系统稳定性。其次，该MOSFET拥有极低的栅极电荷（Qg），通常在20nC左右，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并降低驱动损耗，尤其在高频开关条件下表现更为明显。
　　另一个重要特性是其优化的体二极管反向恢复行为。传统MOSFET的寄生体二极管在关断时会产生较大的反向恢复电流和电压振荡，容易引发EMI问题并增加开关应力。而IRGPC50KD2通过工艺改进大幅减小了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），使体二极管更适合在需要频繁换向的拓扑中使用，例如在ZVS（零电压开关）或ZCS（零电流开关）电路中实现平滑过渡。
　　此外，该器件具备优异的雪崩能量耐受能力，能够承受因电感负载突然断开或短路故障引起的瞬态过压冲击。这一特性对于提升电源系统的鲁棒性至关重要，尤其是在没有额外钳位保护电路的设计中，可以有效防止器件因电压击穿而损坏。同时，其±30V的宽栅源电压范围增强了对异常驱动信号的容忍度，避免因驱动波动导致栅氧层击穿。
　　IRGPC50KD2还具有良好的热阻特性，TO-220封装使其可通过外接散热片实现高效散热，确保在高负载工况下结温维持在安全范围内。综合来看，这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于集成的高压开关解决方案，满足现代节能电子产品对小型化、高效率和长寿命的多重需求。

应用

IRGPC50KD2主要应用于各类中高功率开关电源系统中。常见用途包括AC-DC适配器、PC电源、工业电源模块以及家用电器中的内置电源单元。在这些应用中，它通常作为主开关管用于反激（Flyback）、正激（Forward）或LLC谐振变换器拓扑结构中，承担能量传递与电压调节的核心任务。由于其650V的耐压等级，非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）下的离线式电源设计。
　　在LED照明驱动电源领域，IRGPC50KD2也被广泛采用，特别是在恒流输出的隔离型驱动方案中，用作初级侧的开关元件。其快速开关能力和低导通损耗有助于提升灯具的整体光效，并满足严格的能效法规要求，如Energy Star或ERP Tier 2标准。
　　此外，该器件还可用于PFC（功率因数校正）电路中，尤其是在临界导通模式（CrM）或连续导通模式（CCM）升压PFC拓扑中，帮助提升输入端的功率因数至0.9以上，同时降低谐波电流对电网的污染。这使得搭载该MOSFET的设备更容易通过EMC认证。
　　在电机控制方面，IRGPC50KD2可用于小型变频器或风扇控制器中的DC-DC级或逆变级，提供高效的直流到交流转换。其稳定的开关特性和抗干扰能力保证了电机运行的平稳性与响应速度。综上所述，该器件适用于多种对效率、可靠性和空间布局有较高要求的电力电子应用场景。