型号：100N02
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：100A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（@VGS=10V, ID=50A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：4500pF（@VDS=10V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管或快速恢复型
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）、TO-263（D2PAK）等

100N02的核心优势在于其极低的导通电阻与高电流承载能力相结合，使其在大电流应用中表现出色。采用先进的沟槽式MOSFET工艺，能够在保持小尺寸的同时实现优异的导电性能。这种结构优化了载流子流动路径，降低了导通损耗，从而显著提升系统的能量转换效率。尤其是在同步整流、电池供电设备和高密度电源模块中，该特性至关重要。
　　该器件具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在瞬态过载条件下维持可靠工作。其高达175℃的最大结温允许在高温环境中运行，配合适当的散热设计可进一步延长使用寿命。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的功率更少，有利于简化驱动器设计并降低整体系统成本。这对于高频开关应用尤其有利，例如开关电源（SMPS）、PWM电机控制和LED驱动电路。
　　100N02还具有快速的开关响应时间，能够有效减少开关过程中的交越损耗，提升动态性能。其寄生参数经过优化，在高频操作下仍能保持较高的效率。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，但在实际使用中仍建议采取防静电措施以避免损伤。总体而言，100N02是一款高性能、高性价比的低压N沟道MOSFET，适用于多种现代电力电子系统的设计需求。

100N02常用于各类需要高效开关控制和低导通损耗的电力电子系统中。典型应用场景包括但不限于：直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为同步整流开关；便携式电子设备中的电池保护电路与充放电控制开关；电动工具、无人机和电动汽车中的电机驱动电路；工业自动化设备中的固态继电器与负载切换装置；以及服务器电源、笔记本电脑适配器和通信电源中的功率级设计。
　　在电池管理系统（BMS）中，100N02可用于主回路的通断控制，凭借其低RDS(on)减少发热，提高系统安全性与续航能力。此外，它也适用于大电流电源分配单元（PDU）和热插拔控制器中，提供快速响应的过流保护功能。由于其封装兼容性强，易于集成到现有PCB设计中，并支持自动焊接工艺，因此在大规模生产中具备良好的可制造性。对于需要高效率、小体积和高可靠性的低压大电流开关应用，100N02是一个理想的选择。

IRL100N02PBF
　　STP100N2LFP05
　　FDD100N02