型号：IRGP4640D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：38A（TC=25°C）
　　连续漏极电流（IDC）：38A
　　脉冲漏极电流（IDM）：152A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：354W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（max，@ VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 5.0V（@ ID=250μA）
　　输入电容（Ciss）：5040pF（@ VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：1490pF（@ VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：44ns（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：180nC（典型值，@ VDS=480V）
　　二极管正向电压（VSD）：1.7V（@ IS=38A）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

IRGP4640D具备优异的开关性能与导通损耗平衡，采用英飞凌先进的沟槽栅技术和场截止结构，显著降低了单位面积下的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）设计使得在高频开关应用中所需的驱动能量更少，降低了对驱动电路的要求，并减少了开关过程中的动态损耗。此外，该器件具有较低的输出电容（Coss），这在谐振转换器或LLC拓扑中尤为重要，可以有效减小关断时的能量损耗，提升轻载效率。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性和长期可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其TO-247封装提供了较大的散热接触面，便于安装散热器以实现有效的热管理，适用于持续大电流工作的场景。器件内部的体二极管经过优化设计，具有较短的反向恢复时间（trr）和较小的反向恢复电荷（Qrr），可减少在桥式电路或同步整流中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性与安全性。
　　IRGP4640D还具备强大的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载条件下承受一定的能量冲击而不损坏，这一特性对于电机驱动和电感负载切换等应用场景至关重要。其坚固的栅极氧化层设计允许承受高达±30V的栅源电压，提高了抗噪声干扰能力和系统鲁棒性。综合来看，IRGP4640D是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，特别适合用于高效率、高频率的电源变换系统中。

IRGP4640D广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其适用于需要高频开关操作和高效能量转换的场合。典型应用包括工业用逆变器、交流电机驱动器、不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器以及太阳能逆变器等。在这些系统中，IRGP4640D常被用于半桥、全桥或推挽拓扑结构中作为主开关元件，发挥其低导通损耗和快速开关的优势。
　　在感应加热设备中，如电磁炉、金属熔炼装置等，该器件可用于构建串联或并联谐振电路，利用其优良的开关特性和抗雪崩能力来应对高di/dt和dv/dt的工作环境。在新能源领域，IRGP4640D也常见于光伏逆变器的直流侧斩波电路或储能系统的双向变换器中，帮助实现高效的能量调节与传输。
　　此外，该器件还可用于电动工具、电动汽车充电模块及工业自动化控制系统中的功率控制单元。由于其具备较强的过载承受能力和良好的热性能，IRGP4640D在瞬态负载变化频繁的应用中表现出色，能够有效延长系统寿命并降低维护成本。总之，凡是需要高电压阻断能力、大电流承载能力和高开关频率的功率应用，IRGP4640D都是一个可靠的选择。

IPW65R190CFD
　　STW46NK60Z
　　FGL46N60SFD
　　TK20A60U