型号：IRGP4069
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200 V
　　最大漏极电流（ID）：25 A（TC=25°C）
　　连续漏极电流（IDC）：16 A（TC=100°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：100 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：350 mΩ（@ VGS = 15 V, ID = 12.5 A）
　　阈值电压（VGS(th)）：5.0 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2800 pF（@ VDS = 600 V）
　　输出电容（Coss）：440 pF
　　反向传输电容（Crss）：50 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：45 ns
　　上升时间（tr）：65 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：75 ns
　　下降时间（tf）：40 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装：TO-247

IRGP4069凭借其先进的TrenchSTOP?沟槽栅技术，在高压大功率应用中实现了卓越的性能平衡。该器件的核心优势在于其低导通电阻与优化的开关行为之间的良好折衷，使得在1200V耐压等级下仍能维持较低的导通损耗和开关损耗。这种特性对于提高DC-AC逆变器、工业电源和光伏逆变系统的整体效率至关重要。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动电路所需的功耗，使控制器能够以更小的驱动电流实现快速开关动作，从而提升系统响应速度并减少热积累。
　　该MOSFET具备出色的雪崩能量承受能力（EAS），能够在短时过压或感性负载突变情况下安全运行而不发生永久性损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其集成的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流尖峰，从而抑制了电磁干扰（EMI）并降低了交叉导通风险，尤其在桥式拓扑中表现优异。此外，IRGP4069的设计优化了热阻特性，TO-247封装提供了良好的散热路径，有助于将结温控制在安全范围内，延长器件寿命。
　　器件的栅极阈值电压典型值为5.0V，确保在标准驱动电压（如10–15V）下完全导通，同时避免因噪声引起的误触发。其高dv/dt耐受能力进一步提升了在高频开关环境中的稳定性。所有参数均在宽温度范围内经过验证，确保从冷启动到满负荷运行的全工况可靠性。综合来看，IRGP4069是一款专为高效率、高可靠性电力电子系统设计的先进功率MOSFET，兼顾性能、耐用性与易用性。

IRGP4069主要应用于需要高电压阻断能力和高效开关性能的电力电子系统中。典型用途包括工业电机驱动器中的功率级模块，用于控制交流或直流电机的调速与启停。在太阳能发电系统中，它常被用于光伏逆变器的DC-AC转换环节，尤其是在单相或三相组串式逆变器中作为主开关器件，帮助实现高转换效率和低待机损耗。此外，该器件也广泛用于不间断电源（UPS）系统，支持市电与电池之间的无缝切换，并在逆变模式下提供稳定的正弦波输出。
　　在开关模式电源（SMPS）领域，特别是高功率通信电源、服务器电源和工业电源中，IRGP4069可用于有源钳位、LLC谐振变换器或双有源桥（DAB）拓扑，发挥其低开关损耗和良好热性能的优势。它同样适用于感应加热设备、电焊机和电动车辆充电系统等高电流、高频率应用场景。由于其具备较强的抗雪崩能力和高可靠性，也常被选用于对安全性和长期稳定性要求较高的工业控制系统中。无论是硬开关还是软开关拓扑，IRGP4069都能提供稳定且高效的性能表现，是现代中高功率电源设计中的关键元件之一。

IPW60R037P7
　　STGF12N120K3
　　FGL40N120ANTD