时间：2025/4/25 15:05:33
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IRGP4066DPBF是由英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用场合。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗，从而提高系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：7nC
开关时间：开通延迟时间 12ns，关断延迟时间 19ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRGP4066DPBF具有较低的导通电阻和栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出色。
该器件能够在较高的结温下稳定工作，适合工业及汽车环境中的严格要求。
其DPAK封装提供了良好的散热性能，并且易于安装在印刷电路板上。
此外，该MOSFET具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗，从而提升系统效率。
内置的雪崩能量处理能力使其能够在异常条件下保持可靠性。
IRGP4066DPBF广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
IRFP260N
STP18NF50
FDP15U60A
